China TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Kioxia America, Inc. Se ha desarrollado una serie de aplicaciones para el procesamiento de datos de las computadoras.

TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Kioxia America, Inc. Se ha desarrollado una serie de aplicaciones para el procesamiento de datos de las computadoras.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND (SLC)
China CY7C09569V-83AXC IC SRAM 576KBIT PARALÉL 144TQFP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

CY7C09569V-83AXC IC SRAM 576KBIT PARALÉL 144TQFP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, sincrónico
China S29PL127J60BAI000 IC FLASH 128MBIT PARALÉL 80FBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

S29PL127J60BAI000 IC FLASH 128MBIT PARALÉL 80FBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP Kaga FEI America, Inc. El objetivo del proyecto es mejorar la calidad de la información de los usuarios.

MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP Kaga FEI America, Inc. El objetivo del proyecto es mejorar la calidad de la información de los usuarios.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FRAM
Tecnología: FRAM (RAM ferroeléctrico)
China AS7C4096A-12JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión.

AS7C4096A-12JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China MT29F1T08CPCABH8-6:Un IC FLASH 1TB PARALLEL 166MHZ Tecnología de Micron Inc.

MT29F1T08CPCABH8-6:Un IC FLASH 1TB PARALLEL 166MHZ Tecnología de Micron Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
China RMLV0408EGSA-4S2#AA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

RMLV0408EGSA-4S2#AA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM
China CY62128EV30LL-45ZAXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP Tecnologías Infineon

CY62128EV30LL-45ZAXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
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