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China IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - DDR3
China AT49F008AT-12TC IC FLASH 8MBIT PARALÉL 40TSOP Tecnología de microchip

AT49F008AT-12TC IC FLASH 8MBIT PARALÉL 40TSOP Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH
China MB85RC64APNF-G-JNERE1 IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ

MB85RC64APNF-G-JNERE1 IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FRAM
Tecnología: FRAM (RAM ferroeléctrico)
China IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China AT24C64D-MAHM-T IC EEPROM 64KBIT I2C 8MINI MAP Tecnología de microchip

AT24C64D-MAHM-T IC EEPROM 64KBIT I2C 8MINI MAP Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China 71V124SA10PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALÉL 32TSOP II Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

71V124SA10PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALÉL 32TSOP II Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO Tecnología de Micron Inc.

MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO Tecnología de Micron Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China MTFC64GJVDN-3M PESO TR IC FLASH 512GBIT MMC 169LFBGA Micron Technology Inc.

MTFC64GJVDN-3M PESO TR IC FLASH 512GBIT MMC 169LFBGA Micron Technology Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
China MT40A1G8WE-083E AIT:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Tecnología de micrófonos Inc.

MT40A1G8WE-083E AIT:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Tecnología de micrófonos Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - DDR4
China IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: COPITA
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