TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Kioxia America, Inc. Se ha desarrollado una serie de aplicaciones para el procesamiento de datos de las computadoras.

[Toshiba]

2GBIT (256M u 8BITS) CMOS y NAND E2PROM

Descripción

El TH58NVG1S3A es un único 3.3-V 2G-bit (2,214,592, 512 bits) NAND Memoria de solo lectura borrable y programable (NAND E2PROM) organizada como (2048 + 64) bytes x 64 páginas x 2048 bloques.El dispositivo tiene registros estáticos de 2112 bytes que permiten transferir datos de programa y lectura entre el registro y la matriz de células de memoria en incrementos de 2112 bytesLa operación de borrado se realiza en una sola unidad de bloque (128 Kbytes + 4Kbytes: 2112 bytes x 64 páginas).
El TH58NVG1S3A es un dispositivo de memoria de tipo serie que utiliza los pines de E/S tanto para la dirección como para la entrada/salida de datos, así como para las entradas de comandos.Las operaciones de borrado y programación se ejecutan automáticamente, lo que hace que el dispositivo sea más adecuado para aplicaciones como el almacenamiento de archivos de estado sólido, grabación de voz, memoria de archivos de imagen para cámaras fijas y otros sistemas que requieren almacenamiento de datos de memoria no volátil de alta densidad.

Características

• Organizaciones
Celulas de memoria de todos los 2112 u 64K u 8 u 2
Registro 2112 u 8
Tamaño de página 2112 bytes
Tamaño del bloque (128K 4K) bytes
• Las modalidades
Leer, restablecer, programa de página automática
Eliminación automática del bloqueo, lectura del estado
• Control del modo
Entrada y salida en serie
Control de mando
• Alimentación VCC de 2,7 V a 3,6 V
• Ciclos de programación/borrado 1E5 Ciclos ((Con ECC)
• Tiempo de acceso
El conjunto de celdas para registrar 25 μs máximo
Ciclo de lectura en serie 50 ns min
• Corriente de funcionamiento
Lectura (ciclo de 50 ns) 10 mA tipo.
Programa (promedio) 10 mA tipo.
Eliminación (promedio) 10 mA tipo.
En modo de espera 50 μA máximo
• Paquete
El peso de los productos incluidos en la muestra es de 0,53 g.