China IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA ISSI, Solución de Silicio Integrado Inc.

IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA ISSI, Solución de Silicio Integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
tecnología: SRAM - Asincrónico
China MTFC16GJUEF-AIT TR IC FLASH 128GBIT MMC 169TFBGA Micron Technology Inc. y sus subsidiarios

MTFC16GJUEF-AIT TR IC FLASH 128GBIT MMC 169TFBGA Micron Technology Inc. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
China MTFC32GAPALNA-AAT IC FLASH 256GBIT MMC 100TBGA Micron Technology Inc. y sus subsidiarios

MTFC32GAPALNA-AAT IC FLASH 256GBIT MMC 100TBGA Micron Technology Inc. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
China R1LV1616RSD-7SI#B0 IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II Renesas Electronic America Inc. y sus subsidiarias

R1LV1616RSD-7SI#B0 IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II Renesas Electronic America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
tecnología: SRAM
China MR4A16BYS35 IC RAM 16MBIT PARALÉL 54TSOP2 Everspin Technologies Inc. y sus subsidiarios

MR4A16BYS35 IC RAM 16MBIT PARALÉL 54TSOP2 Everspin Technologies Inc. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: Memoria RAM
Tecnología: Unidad de control de velocidad
China FT93C46A-IDR-B IC EEPROM 1KBIT 3-WIRE 2MHZ 8DIP Fremont Micro Devices Ltd. y sus subsidiarias

FT93C46A-IDR-B IC EEPROM 1KBIT 3-WIRE 2MHZ 8DIP Fremont Micro Devices Ltd. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China 71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
tecnología: SRAM - Síncrono, SDR
China MX29F400CTMI-90G IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SOP Macronix y sus componentes

MX29F400CTMI-90G IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SOP Macronix y sus componentes

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALÉL 60WBGA Winbond Electrónica

W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALÉL 60WBGA Winbond Electrónica

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
tecnología: SDRAM-DDR2
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