MT29F1T08CPCABH8-6:Un IC FLASH 1TB PARALLEL 166MHZ Tecnología de Micron Inc.

Descripción general

Los dispositivos Flash Micron NAND incluyen una interfaz de datos asincrónica para operaciones de E/S de alto rendimiento. Estos dispositivos utilizan un bus de 8 bits altamente multiplexado (E/Ox) para transferir comandos, direcciones y datos.Hay cinco señales de control utilizadas para implementar la interfaz de datos asíncrona: CE#, CLE, ALE, WE#, y RE#. Las señales adicionales controlan la protección de escritura del hardware y monitorean el estado del dispositivo (R/B#).
Esta interfaz de hardware crea un dispositivo de bajo número de pines con un pinado estándar que sigue siendo el mismo de una densidad a otra, lo que permite futuras actualizaciones a vínculos de mayor densidad sin ningún rediseño de la placa.
Un objetivo es la unidad de memoria a la que accede una señal de activación de chip.Una matriz NAND Flash es la unidad mínima que puede ejecutar de forma independiente comandos e informar el estado. Una matriz NAND Flash, en la especificación ONFI, se conoce como unidad lógica (LUN).ver Organización de dispositivos y matriz.
Este dispositivo dispone de un ECC interno de 4 bits que puede activarse mediante las funciones GET/SET.
Para obtener más información, véase el CCE interno y el mapeo de las zonas de reserva del CCE.

Características

• Open NAND Flash Interface (ONFI) compatible con la norma 1.01
• Tecnología de células de un solo nivel (SLC)
• Organizaciones
️ Tamaño de página x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)
️ Tamaño de página x16: 1056 palabras (1024 + 32 palabras)
️ Tamaño del bloque: 64 páginas (128K + 4K bytes)
Tamaño del avión: 2 aviones x 2048 bloques por avión
¢ Tamaño del dispositivo: 4 GB: 4096 bloques; 8 GB: 8192 bloques 16 GB: 16.384 bloques
• Rendimiento de E/S asíncrono
¢ TRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Rendimiento de la matriz
¢ Lectura de la página: 25μs 3
¢ Página del programa: 200 μs (tipo: 1,8 V, 3,3 V) 3
Bloqueo de borrado: 700 μs (TYP)
• Conjunto de comandos: Protocolo ONFI NAND Flash
• Conjunto de comandos avanzados
El modo de caché de la página del programa4
Leer el modo de caché de la página 4
¢ Modo programable de una sola vez (OTP)
Comando de dos planos 4
Las operaciones de matriz entrelazada (LUN)
Leer el identificador único
Bloqueo de bloqueo (sólo 1,8 V)
movimiento de datos internos
• El byte de estado de operación proporciona un método de software para detectar
¢ Finalización de la operación
Condición de aprobación o de rechazo
El estado de protección de escritura
• La señal Ready/Busy# (R/B#) proporciona un método de hardware para detectar la finalización de la operación
• WP# señal: Escribir proteger todo el dispositivo
• El primer bloque (dirección de bloque 00h) es válido cuando se envía desde fábrica con ECC. Para el ECC mínimo requerido, véase Gestión de errores.
• El bloque 0 requiere ECC de 1 bit si los ciclos de PROGRAM/ERASE son inferiores a 1000
• Requerido como primer comando después de encendido
• Método alternativo de inicialización del dispositivo (Nand_In it) después de encendido (contacto de fábrica)
• Operaciones de movimiento de datos internos soportadas dentro del plano desde el que se leen los datos
• Calidad y fiabilidad
¢ Conservación de los datos: 10 años
Durabilidad: 100.000 ciclos de programación/borrado
• Rango de tensión de funcionamiento
VCC: 2.7V 3.6V
VCC: 1,7 V 1,95 V
• Temperatura de funcionamiento:
️ Comercial: de 0°C a +70°C
Industriales (IT): de 40 oC a + 85 oC
• Paquete
️ TEP de 48 pines, tipo 1, CPL2
VFBGA de 63 bolas