China R1EX25008ATA00I#S0 IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP Renesas Electronic America Inc. y sus subsidiarias

R1EX25008ATA00I#S0 IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP Renesas Electronic America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión.

AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM
China BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Texas Instruments también está disponible en el mercado.

BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Texas Instruments también está disponible en el mercado.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: NVSRAM
Tecnología: NVSRAM (SRAM permanente)
China AT26DF161A-MU IC FLASH 16MBIT SPI 70MHZ 8VDFN Renesas Design Alemania GmbH

AT26DF161A-MU IC FLASH 16MBIT SPI 70MHZ 8VDFN Renesas Design Alemania GmbH

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH
China IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, sincrónico
China AT25128T2-10TI-1.8 IC EEPROM 128KBIT SPI 20TSSOP Tecnología de microchip

AT25128T2-10TI-1.8 IC EEPROM 128KBIT SPI 20TSSOP Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM-DDR
China IS61C3216AL-12KLI-TR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS61C3216AL-12KLI-TR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China IS62WV102416EBLL-45BLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS62WV102416EBLL-45BLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
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