Todos los productos
Persona de Contactar Ahora : Zhao
Número de teléfono : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085
China STK11C68-C35I IC NVSRAM 64KBIT PARALÉL 28CDIP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

STK11C68-C35I IC NVSRAM 64KBIT PARALÉL 28CDIP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: NVSRAM
tecnología: NVSRAM (SRAM permanente)
China W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II Winbond Electrónica

W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II Winbond Electrónica

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM-DDR
China S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALÉL 84FBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALÉL 84FBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China MT40A256M16LY-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA Tecnología de micrófonos Inc.

MT40A256M16LY-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA Tecnología de micrófonos Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - DDR4
China S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA Tecnologías Infineon

S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 Tecnología de microchip

AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China M27C2001-15F1 IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32CDIP STMicroelectrónica

M27C2001-15F1 IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32CDIP STMicroelectrónica

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EPROM
Tecnología: EPROM - UV
China 70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, asíncrono
China IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: El número de datos que se requieren para el cálculo de las tarifas
China IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - DDR3L
2 3 4 5 6 7 8 9