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MT47H128M4BT-37E:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA Micron Technology Inc. Se trata de un dispositivo de almacenamiento de datos para el almacenamiento de datos de las empresas de telecomunicaciones.
Nombre de la marca | Micron Technology Inc. |
---|---|
Número de modelo | MT4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A |
Cantidad de orden mínima | 1 |
Precio | Based on current price |
Detalles de empaquetado | Bolsa antistática y caja de cartón |
Tiempo de entrega | 3 a 5 días hábiles |
Condiciones de pago | T/T |
Capacidad de la fuente | En stock |

Éntreme en contacto con gratis las muestras y los vales.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
skype: sales10@aixton.com
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xDatos del producto
Tipo de la memoria | Volátil | Formato de la memoria | COPITA |
---|---|---|---|
Tecnología | SDRAM-DDR2 | Tamaño de la memoria | 512Mbit |
Organización de la memoria | 128M x 4 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
Frecuencia de reloj | 267 megaciclos | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 15ns |
Tiempo de acceso | 500 picosegundos | Voltagem - Suministro | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Envase / estuche | 92-TFBGA | Paquete de dispositivos del proveedor | El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga ser |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number | Description | |
---|---|---|
MT47H128M4BT-37E:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA | |
MT47H32M16BT-37E:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA | |
MT47H128M8BT-3 L:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H128M8BT-37E L:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H128M8BT-5E L:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H128M8BT-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H128M8BT-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H256M4BT-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H256M4BT-3:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H256M4BT-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H64M16BT-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H64M16BT-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H256M4B7-5E:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H256M4B7-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H256M4B7-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H256M4B7-37E:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H128M8B7-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H128M8B7-5E:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H128M8B7-5E L:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H128M8B7-5E L:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H128M8B7-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H128M8B7-37E:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H128M8B7-37E L:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H128M8B7-37E L:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H64M16B7-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H64M16B7-37E:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H64M16B7-5E:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H64M16B7-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H64M16BT-3:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA |
Descripción de producto
Detalles del producto
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 bancosMT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 bancos
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 bancos
Características
• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V• E/S de 1.8V de la norma JEDEC (compatible con SSTL_18)
• Opción de estroboscopo de datos diferencial (DQS, DQS#)
• Arquitectura de preencuesta de 4n bits
• Opción de estroboscopo de salida duplicado (RDQS) para x8
• DLL para alinear las transiciones DQ y DQS con CK
• 8 bancos internos para operaciones simultáneas
• latencia de CAS programable (CL)
• La latencia del aditivo CAS publicada (AL)
• Tardor de escritura = Tardor de lectura - 1 tCK
• Longitudes de estallido seleccionables (BL): 4 u 8
• Fuerza de transmisión de datos ajustable
• 64 ms, 8192 ciclos de actualización
• Terminación en el momento de la muerte (ODT)
• Opción de temperatura industrial (TI)
• Opción de temperatura del vehículo (AT)
• Cumplimiento de la Directiva RoHS
• Soporta la especificación JEDEC de jitter de reloj
Especificaciones
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Tecnología Micron Inc. |
Categoría de productos | Interfaces de memoria |
Serie | - |
Embalaje | Banda cortante (TC) |
Cuadro de paquete | 92-FBGA |
Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 85 °C (TC) |
Interfaz | En paralelo |
Fuente de suministro de tensión | 1.7 V ~ 1.9 V |
Envase del producto del proveedor | - |
Capacidad de memoria | 512M (128Mx4) |
Tipo de memoria | DDR2 SDRAM |
Velocidad | 3.75ns |
Formatos de memoria | Memoria RAM |
Descripciones
SDRAM - IC de memoria DDR2 de 512 Mb (128 M x 4) paralelo a 267 MHz 500ps 92-FBGA (11 x 19)
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