China MX25L6406EZNI-12G IC FLASH 64MBIT SPI 86MHZ 8WSON Macronix

MX25L6406EZNI-12G IC FLASH 64MBIT SPI 86MHZ 8WSON Macronix

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China GD25WD20CEIGR IC FLSH 2MBIT SPI/QUAD I/O 8USON GigaDevice Semiconductor (HK) Limited, también conocido como GD25WD20CEIGR

GD25WD20CEIGR IC FLSH 2MBIT SPI/QUAD I/O 8USON GigaDevice Semiconductor (HK) Limited, también conocido como GD25WD20CEIGR

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China MT45W1MW16PABA-70 WT IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA Tecnología de micrófonos Inc.

MT45W1MW16PABA-70 WT IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA Tecnología de micrófonos Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: PSRAM
Tecnología: PSRAM (pseudo SRAM)
China MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc.

MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM-DDR2
China MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA Tecnología de micrófono Inc.

MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA Tecnología de micrófono Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - LPDDR4 móvil
China MT53E768M32D4DT-053 WT:E IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA Tecnología de micrófonos Inc.

MT53E768M32D4DT-053 WT:E IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA Tecnología de micrófonos Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - LPDDR4 móvil
China 5962-3829407MXA IC SRAM 64KBIT PARALÉL 28CDIP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

5962-3829407MXA IC SRAM 64KBIT PARALÉL 28CDIP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China MT29F128G08AKAAAC5:A IC FLASH 128GBIT PARALLEL 52VLGA Tecnología de micrófono Inc.

MT29F128G08AKAAAC5:A IC FLASH 128GBIT PARALLEL 52VLGA Tecnología de micrófono Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
China MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA Tecnología de micrófonos Inc.

MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA Tecnología de micrófonos Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: PSRAM
Tecnología: PSRAM (pseudo SRAM)
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