China W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II Winbond Electrónica

W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II Winbond Electrónica

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM
China 11AA010T-I/TT IC EEPROM 1KBIT SGL WIRE SOT23-3 Tecnología de microchip

11AA010T-I/TT IC EEPROM 1KBIT SGL WIRE SOT23-3 Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China DS1220AD-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrado

DS1220AD-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrado

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: NVSRAM
Tecnología: NVSRAM (SRAM permanente)
China W25Q16DWUUIG IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON Winbond Electrónica

W25Q16DWUUIG IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON Winbond Electrónica

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA Tecnología de micrófonos Inc.

MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA Tecnología de micrófonos Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND (MLC)
China MTFC4GLGDM-AIT Z IC FLASH 32GBIT MMC 153TFBGA Microtecnología Inc.

MTFC4GLGDM-AIT Z IC FLASH 32GBIT MMC 153TFBGA Microtecnología Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
China MT28F128J3FS-12 ET TR IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA Tecnología de micrófono Inc.

MT28F128J3FS-12 ET TR IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA Tecnología de micrófono Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH
China MX30LF1G18AC-XKI IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA Macronix y sus componentes

MX30LF1G18AC-XKI IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA Macronix y sus componentes

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
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