China W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALÉL 96WBGA Winbond Electrónica

W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALÉL 96WBGA Winbond Electrónica

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - DDR3
China MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Tecnología de micrófonos Inc.

MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Tecnología de micrófonos Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - DDR3L
China MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de telecomunicaciones con sede en el Reino Unido.

MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de telecomunicaciones con sede en el Reino Unido.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: COPITA
China 71V256SA15PZGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

71V256SA15PZGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China MTFC2GMVEA-0M WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153VFBGA Micron Technology Inc. El objetivo del proyecto es mejorar la calidad de la información y la calidad de la información.

MTFC2GMVEA-0M WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153VFBGA Micron Technology Inc. El objetivo del proyecto es mejorar la calidad de la información y la calidad de la información.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
China IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM
China CY62256LL-70SNXI IC SRAM 256KBIT PARALÉL 28SOIC Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

CY62256LL-70SNXI IC SRAM 256KBIT PARALÉL 28SOIC Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alianza de la memoria, Inc.

AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alianza de la memoria, Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM-DDR
China MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Tecnología de micrófono Inc.

MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Tecnología de micrófono Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM
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