MT29F128G08CBCABH6-6:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA Micron Technology Inc. Se ha desarrollado una serie de soluciones para el tratamiento de datos de seguridad y seguridad de los usuarios.

Nombre de la marca Micron Technology Inc.
Número de modelo MT2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Permanente Formato de la memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND Tamaño de la memoria 128 Gbit
Organización de la memoria 16Gx8 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 166 MHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso - Voltagem - Suministro 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche Las demás partidas del anexo II Paquete de dispositivos del proveedor El número de unidad de control es el número de unidad de control.
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
MT29F128G08CBCABH6-6:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F256G08CECABH6-6:A TR IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBCABH6-6:A IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F256G08CECABH6-6:A IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F256G08CECABH6-6R:A IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBEABH6-12:A IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBEABH6-12:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F256G08CEECBH6-12:C IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBECBH6-12:C IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBECBH6-12M:C IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBCABH6-6M:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBCABH6-6M:A IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBECBH6-12M:C TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBECBH6-12:C TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29E256G08CECBBH6-6:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08AECBBH6-6:B TR IC FLSH 128GBIT PARALLEL 152VBGA
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBEABH6-12IT:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBEABH6-12M:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F256G08CECCBH6-6R:C TR IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F256G08CEEABH6-12:A TR IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F256G08CEEABH6-12IT:A TR IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR IC FLASH 64GBIT PARALLEL 152VBGA
MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR IC FLASH 64GBIT PARALLEL 152VBGA
MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F256G08CECBBH6-6ITR:B IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F256G08CECCBH6-6C:C IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C TR IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29E256G08CECCBH6-6:C TR IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29E256G08CECCBH6-6:C IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBCCBH6-6R:C IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBCBBH6-6ITC:B IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBCBBH6-6ITR:B IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08CBCCBH6-6C:C IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F256G08CECBBH6-6R:B IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F64G08ABEBBH6-12:B IC FLASH 64GBIT PARALLEL 152VBGA
MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR IC FLASH 64GBIT PARALLEL 152VBGA
MT29F128G08AEEBBH6-12:B IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B IC FLSH 128GBIT PARALLEL 152VBGA
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F256G08CECCBH6-6R:C IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B IC FLASH 64GBIT PARALLEL 152VBGA
MT29F128G8CBECBH6-12:C IC FLASH 128GBIT 152VBGA
MT29F128G8CBECBH6-12:C TR IC FLASH 128GBIT 152VBGA
MT29F128G08CBCCBH6-6R:C TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
MT29F256G08CEECBH6-12:C TR IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
MT29F256G08CECABH6-10:A IC FLASH 256GBIT PARALLEL
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción general

Los dispositivos flash Micron NAND incluyen una interfaz de datos asincrónica para operaciones de E/S de alto rendimiento.Hay cinco señales de control utilizadas para implementar la interfaz de datos asyn chronous: CE#, CLE, ALE, WE# y RE#. Las señales adicionales controlan la protección de escritura del hardware (WP#) y monitorean el estado del dispositivo (R/B#).

Características

• Interfaz NAND Flash abierta (ONFI) compatible con el punto 2.2
• Tecnología de células de múltiples niveles (MLC)
• Organizaciones
️ Tamaño de página x8: 8640 bytes (8192 + 448 bytes)
️ Tamaño del bloque: 256 páginas (2048K + 112K bytes)
Tamaño del avión: 2 aviones x 2048 bloques por avión
¢ Tamaño del dispositivo: 64 GB: 4096 bloques;
128 GB: 8192 bloques;
256 GB: 16 384 bloques;
512Gb: 32 786 bloques
• Rendimiento de E/S sincrónico
¢ Hasta el modo de sincronización 5
La velocidad del reloj: 10ns (DDR)
¢ Rendimiento de lectura/escritura por pin: 200 MT/s
• Rendimiento de E/S asíncrono
¢ Hasta el modo de sincronización asíncrona 5
¿Qué quieres decir?
TRC/tWC: 20ns (MIN)
• Rendimiento de la matriz
¢ Lectura de la página: 50 μs (MAX)
Página del programa: 1300 μs (TYP)
Bloqueo de borrado: 3 ms (TYP)
• Rango de tensión de funcionamiento
VCC: 2.7V 3.6V
VCCQ: 1,7 V1,95 V, 2,7 V3,6 V
• Conjunto de comandos: Protocolo ONFI NAND Flash
• Conjunto de comandos avanzados
El caché del programa
Leer secuencialmente la caché
Leer la caché al azar
¢ Modo programable de una sola vez (OTP)
Comando de varios planos
Las operaciones con múltiples LUN
Leer el identificador único
– Copyback
• El primer bloque (dirección del bloque 00h) es válido cuando se envía
Para el ECC mínimo requerido, véase
Gestión de errores (página 109).
• Se requiere RESET (FFh) como primer comando después del encendido
En el
• El byte de estado de operación proporciona un método de software para
Detección
¢ Finalización de la operación
Condición de aprobación o de rechazo
El estado de protección de escritura
• Las señales de estroboscopo de datos (DQS) proporcionan un método de hardware
para la sincronización de datos DQ en el sistema sincrónico
Interfaz
• Operaciones de copia de seguridad soportadas dentro del avión
de la que se leen los datos
• Calidad y fiabilidad
¢ Conservación de los datos: 10 años
¢ Durabilidad: 5000 ciclos de programación/borrado
• Temperatura de funcionamiento:
️ Comercial: de 0°C a +70°C
Industriales (IT): de 40 oC a + 85 oC
• Paquete
¢ LGA de 52 almohadillas
¢ TEP de 48 pines
– 100-ball BGA

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Cuadro de paquete Se aplicará el procedimiento siguiente:
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 2.7 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedor El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar el efecto invernadero.
Capacidad de memoria 128G (16G x 8)
Tipo de memoria Las condiciones de los datos de las unidades de control
Velocidad -
Formatos de memoria El flash.

Descripciones

FLASH - IC de memoria NAND 128Gb (16G x 8) paralelo a 166MHz 152-VFBGA (14x14)