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MT29F128G08CBCABH6-6:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA Micron Technology Inc. Se ha desarrollado una serie de soluciones para el tratamiento de datos de seguridad y seguridad de los usuarios.
Nombre de la marca | Micron Technology Inc. |
---|---|
Número de modelo | MT2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A |
Cantidad de orden mínima | 1 |
Precio | Based on current price |
Detalles de empaquetado | Bolsa antistática y caja de cartón |
Tiempo de entrega | 3 a 5 días hábiles |
Condiciones de pago | T/T |
Capacidad de la fuente | En stock |

Éntreme en contacto con gratis las muestras y los vales.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
skype: sales10@aixton.com
Si usted tiene alguna preocupación, proporcionamos ayuda en línea de 24 horas.
xDatos del producto
Tipo de la memoria | Permanente | Formato de la memoria | FLASH |
---|---|---|---|
Tecnología | FLASH - NAND | Tamaño de la memoria | 128 Gbit |
Organización de la memoria | 16Gx8 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
Frecuencia de reloj | 166 MHz | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | - |
Tiempo de acceso | - | Voltagem - Suministro | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Envase / estuche | Las demás partidas del anexo II | Paquete de dispositivos del proveedor | El número de unidad de control es el número de unidad de control. |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number | Description | |
---|---|---|
MT29F128G08CBCABH6-6:A TR | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F256G08CECABH6-6:A TR | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBCABH6-6:A | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F256G08CECABH6-6:A | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F256G08CECABH6-6R:A | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBEABH6-12:A | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBEABH6-12:A TR | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F256G08CEECBH6-12:C | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBECBH6-12:C | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBECBH6-12M:C | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBCABH6-6M:A TR | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBCABH6-6M:A | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBECBH6-12M:C TR | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBECBH6-12:C TR | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29E256G08CECBBH6-6:B TR | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08AECBBH6-6:B TR | IC FLSH 128GBIT PARALLEL 152VBGA | |
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBEABH6-12IT:A TR | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBEABH6-12M:A TR | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F256G08CECCBH6-6R:C TR | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F256G08CEEABH6-12:A TR | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F256G08CEEABH6-12IT:A TR | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR | IC FLASH 64GBIT PARALLEL 152VBGA | |
MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR | IC FLASH 64GBIT PARALLEL 152VBGA | |
MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F256G08CECBBH6-6ITR:B | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F256G08CECCBH6-6C:C | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C TR | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29E256G08CECCBH6-6:C TR | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C TR | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29E256G08CECCBH6-6:C | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBCCBH6-6R:C | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBCBBH6-6ITC:B | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBCBBH6-6ITR:B | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08CBCCBH6-6C:C | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F256G08CECBBH6-6R:B | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F64G08ABEBBH6-12:B | IC FLASH 64GBIT PARALLEL 152VBGA | |
MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR | IC FLASH 64GBIT PARALLEL 152VBGA | |
MT29F128G08AEEBBH6-12:B | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B | IC FLSH 128GBIT PARALLEL 152VBGA | |
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F256G08CECCBH6-6R:C | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B | IC FLASH 64GBIT PARALLEL 152VBGA | |
MT29F128G8CBECBH6-12:C | IC FLASH 128GBIT 152VBGA | |
MT29F128G8CBECBH6-12:C TR | IC FLASH 128GBIT 152VBGA | |
MT29F128G08CBCCBH6-6R:C TR | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F256G08CEECBH6-12:C TR | IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA | |
MT29F256G08CECABH6-10:A | IC FLASH 256GBIT PARALLEL |
Descripción de producto
Detalles del producto
Descripción general
Los dispositivos flash Micron NAND incluyen una interfaz de datos asincrónica para operaciones de E/S de alto rendimiento.Hay cinco señales de control utilizadas para implementar la interfaz de datos asyn chronous: CE#, CLE, ALE, WE# y RE#. Las señales adicionales controlan la protección de escritura del hardware (WP#) y monitorean el estado del dispositivo (R/B#).
Características
• Interfaz NAND Flash abierta (ONFI) compatible con el punto 2.2• Tecnología de células de múltiples niveles (MLC)
• Organizaciones
️ Tamaño de página x8: 8640 bytes (8192 + 448 bytes)
️ Tamaño del bloque: 256 páginas (2048K + 112K bytes)
Tamaño del avión: 2 aviones x 2048 bloques por avión
¢ Tamaño del dispositivo: 64 GB: 4096 bloques;
128 GB: 8192 bloques;
256 GB: 16 384 bloques;
512Gb: 32 786 bloques
• Rendimiento de E/S sincrónico
¢ Hasta el modo de sincronización 5
La velocidad del reloj: 10ns (DDR)
¢ Rendimiento de lectura/escritura por pin: 200 MT/s
• Rendimiento de E/S asíncrono
¢ Hasta el modo de sincronización asíncrona 5
¿Qué quieres decir?
TRC/tWC: 20ns (MIN)
• Rendimiento de la matriz
¢ Lectura de la página: 50 μs (MAX)
Página del programa: 1300 μs (TYP)
Bloqueo de borrado: 3 ms (TYP)
• Rango de tensión de funcionamiento
VCC: 2.7V 3.6V
VCCQ: 1,7 V1,95 V, 2,7 V3,6 V
• Conjunto de comandos: Protocolo ONFI NAND Flash
• Conjunto de comandos avanzados
El caché del programa
Leer secuencialmente la caché
Leer la caché al azar
¢ Modo programable de una sola vez (OTP)
Comando de varios planos
Las operaciones con múltiples LUN
Leer el identificador único
– Copyback
• El primer bloque (dirección del bloque 00h) es válido cuando se envía
Para el ECC mínimo requerido, véase
Gestión de errores (página 109).
• Se requiere RESET (FFh) como primer comando después del encendido
En el
• El byte de estado de operación proporciona un método de software para
Detección
¢ Finalización de la operación
Condición de aprobación o de rechazo
El estado de protección de escritura
• Las señales de estroboscopo de datos (DQS) proporcionan un método de hardware
para la sincronización de datos DQ en el sistema sincrónico
Interfaz
• Operaciones de copia de seguridad soportadas dentro del avión
de la que se leen los datos
• Calidad y fiabilidad
¢ Conservación de los datos: 10 años
¢ Durabilidad: 5000 ciclos de programación/borrado
• Temperatura de funcionamiento:
️ Comercial: de 0°C a +70°C
Industriales (IT): de 40 oC a + 85 oC
• Paquete
¢ LGA de 52 almohadillas
¢ TEP de 48 pines
– 100-ball BGA
Especificaciones
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Tecnología Micron Inc. |
Categoría de productos | Interfaces de memoria |
Serie | - |
Embalaje | Embalaje alternativo de cinta y bobina (TR) |
Cuadro de paquete | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
Interfaz | En paralelo |
Fuente de suministro de tensión | 2.7 V ~ 3.6 V |
Envase del producto del proveedor | El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar el efecto invernadero. |
Capacidad de memoria | 128G (16G x 8) |
Tipo de memoria | Las condiciones de los datos de las unidades de control |
Velocidad | - |
Formatos de memoria | El flash. |
Descripciones
FLASH - IC de memoria NAND 128Gb (16G x 8) paralelo a 166MHz 152-VFBGA (14x14)
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