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IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

  • IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Nombre de la marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Número de modelo Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISO/IEC 17046.
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM Tamaño de la memoria 16Mbit
Organización de la memoria el 1M x 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 143 megaciclos Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso 5,5 ns Voltagem - Suministro 3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 60-TFBGA Paquete de dispositivos del proveedor Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo deberán estar equipadas con un dispositivo
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Part Number Description
IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-6BL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100H-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-6BL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100H-6BLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100H-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-6BLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
AS4C4M16SA-7B2CNTR IC DRAM 64MBIT PAR 60FBGA
AS4C4M16SA-7B2CN IC DRAM 64MBIT PAR 60FBGA
IS42S16400J-7B2LI-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400J-7B2LI IC DRAM 64MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA2-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA2 IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7B IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7B-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400D-6BL IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-6BL-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BL IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BL-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BLI IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BLI-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100C1-7BLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7B IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400D-6BLI IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100C1-7BLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7B-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400D-6BLI-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-6BL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100E-6BLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100E-6BLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100E-6BL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100F-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100F-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100F-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100E-7BLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100E-7BLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

DESCRIPCIÓN ISSI ′s DRAM síncrono de 16 Mb IS42S16100 está organizado como un banco de 524.288 palabras x 16 bits x 2 para un mejor rendimiento.Las DRAM sincrónicas logran una transferencia de datos de alta velocidad utilizando una arquitectura de tuberíaTodas las señales de entrada y salida se refieren al borde ascendente de la entrada del reloj.

Características

• Frecuencia del reloj: 166, 143, 100 MHz
• Completamente sincronizado; todas las señales se refieren a un borde positivo del reloj
• Dos bancos pueden funcionar simultáneamente e independientemente
• Banco interno doble controlado por A11 (banco seleccionado)
• Fuente de alimentación única de 3,3 V
• Interfaz LVTTL
• Largura de la ráfaga programable 1, 2, 4, 8, página completa
• Secuencia de explosión programable: Secuencial/Interleave
• Actualización automática, autoactualización
• 4096 ciclos de actualización cada 128 ms
• Dirección de columna aleatoria en cada ciclo de reloj
• latencia del CAS programable (2, 3 horas)
• Capacidad de lectura/escritura rápida y de lectura/escritura rápida
• Terminación del estallido por comando de parada del estallido y precarga
• Byte controlado por LDQM y UDQM
• Paquete 400 mil y 50 pines TSOP II

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante El ISSI
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Cuadro de paquete 60 - TFBGA
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 3 V ~ 3,6 V
Envase del producto del proveedor Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo deberán estar equipadas con un dispositivo de ensayo de velocidad.
Capacidad de memoria 16M (1M x 16)
Tipo de memoria SDRAM
Velocidad 143 MHz
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

IC de memoria SDRAM de 16 Mb (1M x 16) paralelo a 143 MHz 5.5ns 60-TFBGA (6.4x10.1)
16M, 3.3V, SDRAM, 1MX16, 143MH
Se trata de una serie de sistemas de almacenamiento de datos que se utilizan para almacenar datos.
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI