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AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alianza de la memoria, Inc.

  • AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc.
Nombre de la marca Alliance Memory, Inc.
Número de modelo El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de contr
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM-DDR Tamaño de la memoria 512Mbit
Organización de la memoria los 32M x 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 200 MHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página 15ns
Tiempo de acceso 700 picosegundos Voltagem - Suministro 2.3V ~ 2.7V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 66-TSSOP (0,400", anchura de 10.16m m) Paquete de dispositivos del proveedor Se aplicará el procedimiento siguiente:
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Part Number Description
AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TCN IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TIN IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1-6TCN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TCN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TCN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1-6TIN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TIN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TIN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TCN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TANTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TAN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1-6TCNTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TCN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TCN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TCN IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TIN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TIN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TIN IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TAN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M8D1-5TCN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M8D1-5TIN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TCN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TIN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
MT46V32M16TG-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
MT46V32M16TG-5B IT:JTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
MT46V16M16TG-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
MT46V16M16TG-5B:MTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M8D1-5TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M8D1-5TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TCNTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TINTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C128M8D1-6TIN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C128M8D1-6TINTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
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Part Number Description
Descripción de producto

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Alianza Memoria, Inc.
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete 66-TSSOP (0,400", ancho de 10,16 mm)
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 2.3 V ~ 2.7 V
Envase del producto del proveedor Se aplicará el procedimiento siguiente:
Capacidad de memoria 512M (32M x 16)
Tipo de memoria DDR SDRAM
Velocidad 200 MHz
Formatos de memoria Memoria RAM
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI