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China MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA Tecnología de micrófonos Inc.

MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA Tecnología de micrófonos Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
China La tecnología de microchip de SST25VF020B-80-4I-SAE-T IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC

La tecnología de microchip de SST25VF020B-80-4I-SAE-T IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH
China M24C02-FMC6TG IC EEPROM 2KBIT I2C 8UFDFPN STMicroelectrónica

M24C02-FMC6TG IC EEPROM 2KBIT I2C 8UFDFPN STMicroelectrónica

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China CY7C1464AV33-167BGI IC SRAM 36MBIT PAR 209FBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

CY7C1464AV33-167BGI IC SRAM 36MBIT PAR 209FBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Síncrono, SDR
China W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Electrónica de Winbond

W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Electrónica de Winbond

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - LPDDR móvil
China NM93C06M8 IC EEPROM 256BIT MICROWIRE 8SOIC en semi

NM93C06M8 IC EEPROM 256BIT MICROWIRE 8SOIC en semi

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA Tecnología de micrófono Inc.

MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA Tecnología de micrófono Inc.

Tipo de la memoria: No volátil, volátil
Formato de la memoria: FLASH, RAM
Tecnología: Flash - NAND, LPDRAM móvil
China IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM-DDR
China MT44K16M36RB-107E:B TR IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA Micron Technology Inc.

MT44K16M36RB-107E:B TR IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA Micron Technology Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: COPITA
China MX25L2006EM1I-12G IC FLASH 2MBIT SPI 86MHZ 8SOP Macronix y sus componentes

MX25L2006EM1I-12G IC FLASH 2MBIT SPI 86MHZ 8SOP Macronix y sus componentes

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
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