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China M68AW031AM70N6T IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP STMicroelectrónica

M68AW031AM70N6T IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP STMicroelectrónica

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China CY7C1019DV33-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Tecnologías Infineon

CY7C1019DV33-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China CY7C144AV-25AXC IC SRAM 64KBIT PARALÉL 64TQFP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

CY7C144AV-25AXC IC SRAM 64KBIT PARALÉL 64TQFP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, asíncrono
China S25FL128LAGMFA000 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Tecnologías Infineon

S25FL128LAGMFA000 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China MR2A16AVMA35 IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Everspin Technologies Inc. y sus subsidiarias

MR2A16AVMA35 IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Everspin Technologies Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: Memoria RAM
Tecnología: Unidad de control de velocidad
China AS7C256A-10TCN IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Alliance Memory, Inc. Se trata de una memoria de circuito integrado con una capacidad de almacenamiento de 25 GB.

AS7C256A-10TCN IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Alliance Memory, Inc. Se trata de una memoria de circuito integrado con una capacidad de almacenamiento de 25 GB.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China MT53D512M64D4NW-053 WT:D IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA Tecnología de micrófono Inc.

MT53D512M64D4NW-053 WT:D IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA Tecnología de micrófono Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - LPDDR4 móvil
China S70FL01GSAGMFI010 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC Tecnologías Infineon

S70FL01GSAGMFI010 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China CY7C1049GN30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Tecnologías Infineon

CY7C1049GN30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China MX25L51245GXDI-10G IC FLASH 512MBIT SPI/QU 24CSPBGA Macronix y sus componentes

MX25L51245GXDI-10G IC FLASH 512MBIT SPI/QU 24CSPBGA Macronix y sus componentes

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
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