W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALÉL 96WBGA Winbond Electrónica

Nombre de la marca Winbond Electronics
Número de modelo W631GG6KB-12
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM - DDR3 Tamaño de la memoria 1Gbit
Organización de la memoria los 64M x 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 800 MHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso 20 ns Voltagem - Suministro 1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 85°C (TC) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 96-TFBGA Paquete de dispositivos del proveedor Las partidas de los componentes de las máquinas de la serie A son las siguientes:
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Part Number Description
W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 1066MHZ 96WBGA
W632GG6KB11I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB15J IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-18 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB11I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB11I TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB11I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB12J IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB15J IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB12J IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB11I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción general

El W631GG6KB es una memoria DDR3 SDRAM de 1G bits, organizada como 8,388,608 palabras x 8 bancos x 16 bits. Este dispositivo logra velocidades de transferencia de alta velocidad de hasta 1866 Mb/sec/pin (DDR3-1866) para diversas aplicaciones. W631GG6KB se clasifica en los siguientes grados de velocidad: -11,-12 años.El grado de velocidad -11 es compatible con la especificación DDR3-1866 (13-13-13).Los grados de velocidad 12A y 12K cumplen con la especificación DDR3-1600 (11-11-11) (el grado industrial 12I que se garantiza que soporta -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C)Los grados de velocidad -15, 15I, 15A y 15K cumplen con la especificación DDR3-1333 (9-9-9) (el grado industrial de 15I que se garantiza para soportar -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C).

Características

El valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable de los motores de combustión renovable.
Arquitectura de doble velocidad de datos: dos transferencias de datos por ciclo de reloj
Ocho bancos internos para operaciones simultáneas
Arquitectura de 8 bits de pre-adquisición
¢ Término de latencia del CAS: 6, 7, 8, 9, 10, 11 y 13
Los modos de largura de ráfaga 8 (BL8) y de corte de ráfaga 4 (BC4): fijos a través del registro de modo (MRS) o seleccionables a vuelo (OTF)
¢ Ordenamiento programable de lectura: secuencial entrelazado o mordisqueado
Se transmiten/reciben datos con estrobos de datos bidireccionales y diferenciales (DQS y DQS#)
¢ Alineado en el borde con datos de lectura y alineado en el centro con datos de escritura
DLL alinea las transiciones DQ y DQS con el reloj
Input de reloj diferencial (CK y CK#)
Los comandos introducidos en cada borde CK positivo, datos y máscara de datos se refieren a ambos bordes de un par de estroboscopo de datos diferencial (dupla velocidad de datos)
¢ CAS publicado con latencia aditiva programable (AL = 0, CL - 1 y CL - 2) para mejorar la eficiencia del bus de comando, dirección y datos
¢ Tardor de lectura = Tardor aditivo más Tardor de CAS (RL = AL + CL)
¢ Función de precarga automática para ráfagas de lectura y escritura
️ Actualización, autoactualización, autoactualización automática (ASR) y autoactualización parcial de la matriz (PASR)
 Precharged Power Down and Active Power Down

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Productos electrónicos Winbond
Categoría de productos Interfaces de memoria
Categorías Conectores rectangulares - matrices, tipo de borde, mezzanine (de tabla a tabla)
Fabricante Hirose Electric Co Ltd.
Serie IT1
Embalaje Envases
Estado de las partes Actividad
Tipo de conector Módulo, contactos de la banda central
Número de posiciones 252 Posiciones
El tono 0.020" (0,50 mm)
Número de filas 2 filas
Tipo de montaje -
Características Con doble cara
Contacto-Finalización El oro
Espesor del acabado de contacto -
Alturas de apilamiento de parejas -
Alturas por encima de la tabla -

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR3 1Gb (64M x 16) paralelo 800MHz 20ns 96-WBGA (9x13)
Chip DRAM DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96 pin WBGA