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MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Tecnología de micrófonos Inc.

  • MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.
Nombre de la marca Micron Technology Inc.
Número de modelo MT41K256M8DA-125: K
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

Éntreme en contacto con gratis las muestras y los vales.

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM - DDR3L Tamaño de la memoria 2Gbit
Organización de la memoria 256Mx8 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 800 MHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso 13,75 ns Voltagem - Suministro 1.283V ~ 1.45V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 95°C (TC) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 78-TFBGA Paquete de dispositivos del proveedor 78-FBGA (8x10.5)
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:P IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:M IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-15E:M IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N TR IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

[MCL]

Amplificador de laboratorio de banda ancha CW TWT

Para pruebas de radar, EMC y EW

El amplificador de banda ancha MT4100 está basado en la arquitectura MT4000 TWT.

Con un diseño modular, un embalaje compacto y eficiente, el MT4100 exhibirá una fiabilidad insuperable.

Las características:

Amplia capacidad de diagnóstico
Diseño térmico avanzado
Tamaño compacto
Refrigeración por conductos
Operación silenciosa

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete Las partidas siguientes se aplicarán:
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 95 °C (TC)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 1.283 V ~ 1.45 V
Envase del producto del proveedor Las partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje de aluminio y sus componentes
Capacidad de memoria 2G (256M x 8)
Tipo de memoria DDR3L SDRAM
Velocidad 800 MHz
Formatos de memoria Memoria RAM
El Sr. Tecnología de Micron Inc.
Paquete Envases
Estado del producto Actividad
Tipo de memoria Las sustancias
Formato de memoria Dispositivos de almacenamiento
Tecnología La memoria SDRAM es DDR3L.
Tamaño de la memoria 2Gb (256M x 8)
Interfaz de memoria En paralelo
Frecuencia del reloj 800 MHz
Escribe-Ciclo-Tiempo-Word-Página -
Tiempo de acceso 13,75 ns
Fuente de suministro de tensión Las partidas de los componentes de las máquinas de la serie A
Tipo de montaje Montura de la superficie
Cuadro de paquete Las partidas siguientes se aplicarán:
Número del producto de base MT4M4M4M4M4

Componente compatible funcional

Formulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricante Descripción Fabricante Comparar
H5TQ2G83CFR-H9C
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, libre de halógenos y compatible con la normativa ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4
MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, libre de plomo, FBGA-78 Tecnología de Micron Inc En el caso de las empresas que no cumplen los requisitos de la Directiva 2014/65/UE, las empresas que no cumplen los requisitos de la Directiva 2014/65/UE deben tener acceso a la información facilitada por la Directiva 2014/65/UE.
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K frente a H5TQ2G83FFR-PBC
H5TQ2G83CFR-PBC
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, libre de halógenos y compatible con la normativa ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M
H5TC2G83CFR-PBA
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, libre de halógenos y compatible con la normativa ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT4M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2
MT2M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.50 MM, libre de plomo, FBGA-78 Tecnología de Micron Inc En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones, las empresas de servicios de telecomunicaciones deben tener en cuenta los siguientes elementos:
MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, 1,20 MM de altura, libre de plomo, FBGA-78 Tecnología de Micron Inc El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
H5TQ2G83DFR-RDC
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, libre de halógenos y compatible con el sistema ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K frente a H5TQ2G83DFR-RDC
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, libre de halógenos y compatible con el sistema ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT420M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4
H5TQ2G83DFR-PBC
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, libre de halógenos y compatible con el sistema ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K frente a H5TQ2G83DFR-PBC

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR3L 2Gb (256M x 8) paralelo a 800MHz 13.75ns 78-FBGA (8x10.5)
Chip DRAM DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78 pin FBGA
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI