Todos los productos
Persona de Contactar Ahora : Zhao
Número de teléfono : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085
China SST39VF010-70-4I-WHE IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP Tecnología de microchip

SST39VF010-70-4I-WHE IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH
China MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA Tecnología de micrófono Inc.

MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA Tecnología de micrófono Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM-DDR2
China CY7C1470V25-200BZI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA Tecnologías Infineon

CY7C1470V25-200BZI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Síncrono, SDR
China MX25L6406EMI-12G IC FLASH 64MBIT SPI 86MHZ 16SOP Macronix y sus componentes

MX25L6406EMI-12G IC FLASH 64MBIT SPI 86MHZ 16SOP Macronix y sus componentes

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China IS42S16100H-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS42S16100H-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM
China IS25LP128-JKLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS25LP128-JKLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China 71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China BR24G128NUX-3ATTR IC EEPROM 128KBIT VSON008X2030 Semiconductor de Rohm

BR24G128NUX-3ATTR IC EEPROM 128KBIT VSON008X2030 Semiconductor de Rohm

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China W25X20CLUXIG TR IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8USON Winbond Electrónica

W25X20CLUXIG TR IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8USON Winbond Electrónica

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH
China 71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
16 17 18 19 20 21 22 23