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RMLV0416EGSB-4S2#HA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias
Tipo de la memoria: | Volátil |
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Formato de la memoria: | SRAM |
Tecnología: | SRAM |
BR24S256F-WE2 IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP Semiconductor de Rohm
Tipo de la memoria: | Permanente |
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Formato de la memoria: | EEPROM |
Tecnología: | EEPROM |
IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.
Tipo de la memoria: | Volátil |
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Formato de la memoria: | COPITA |
Tecnología: | SDRAM - LPDDR móvil |
MT29F128G08AMCABH2-10:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA Micron Technology Inc. Se utiliza para la obtención de datos de las máquinas y equipos de la compañía.
Tipo de la memoria: | Permanente |
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Formato de la memoria: | FLASH |
Tecnología: | FLASH - NAND |
MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.
Tipo de la memoria: | Volátil |
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Formato de la memoria: | COPITA |
Tecnología: | SDRAM - DDR4 |
MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc. Se utiliza para la obtención de datos de las máquinas y equipos.
Tipo de la memoria: | Volátil |
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Formato de la memoria: | COPITA |
Tecnología: | SDRAM-DDR |
SST25VF010A-33-4I-QAE IC FLASH 1MBIT SPI 33MHZ 8WSON Tecnología de microchip
Tipo de la memoria: | Permanente |
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Formato de la memoria: | FLASH |
Tecnología: | FLASH |
MT28EW128ABA1HPC-0SIT IC FLASH 128MBIT PARALÉL 64LBGA Micron Technology Inc. El objetivo de este proyecto es el desarrollo de un sistema de gestión de datos basado en la tecnología de la información.
Tipo de la memoria: | Permanente |
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Formato de la memoria: | FLASH |
Tecnología: | FLASH - NI |
IS62WV5128BLL-55HLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP I ISSI, Solución de silicio integrado Inc.
Tipo de la memoria: | Volátil |
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Formato de la memoria: | SRAM |
Tecnología: | SRAM - Asincrónico |
IS62C1024AL-35TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I ISSI, Solución de silicio integrado Inc.
Tipo de la memoria: | Volátil |
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Formato de la memoria: | SRAM |
Tecnología: | SRAM - Asincrónico |