China RMLV0416EGSB-4S2#HA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

RMLV0416EGSB-4S2#HA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM
China BR24S256F-WE2 IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP Semiconductor de Rohm

BR24S256F-WE2 IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP Semiconductor de Rohm

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - LPDDR móvil
China MT29F128G08AMCABH2-10:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA Micron Technology Inc. Se utiliza para la obtención de datos de las máquinas y equipos de la compañía.

MT29F128G08AMCABH2-10:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA Micron Technology Inc. Se utiliza para la obtención de datos de las máquinas y equipos de la compañía.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
China MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.

MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - DDR4
China MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc. Se utiliza para la obtención de datos de las máquinas y equipos.

MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc. Se utiliza para la obtención de datos de las máquinas y equipos.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM-DDR
China SST25VF010A-33-4I-QAE IC FLASH 1MBIT SPI 33MHZ 8WSON Tecnología de microchip

SST25VF010A-33-4I-QAE IC FLASH 1MBIT SPI 33MHZ 8WSON Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH
China IS62WV5128BLL-55HLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP I ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS62WV5128BLL-55HLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP I ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China IS62C1024AL-35TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS62C1024AL-35TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
11 12 13 14 15 16 17 18