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China GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FPBGA GSI Technology Inc. y sus subsidiarios

GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FPBGA GSI Technology Inc. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto cuádruple, sincrónico
China BR24G02FV-3GTE2 IC EEPROM 2KBIT I2C 8SSOPB Semiconductor de Rohm

BR24G02FV-3GTE2 IC EEPROM 2KBIT I2C 8SSOPB Semiconductor de Rohm

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Alianza de Memorias, Inc.

AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Alianza de Memorias, Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China 70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronic America Inc. y sus subsidiarias

70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronic America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, asíncrono
China W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electrónica

W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electrónica

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - LPDDR2 móvil
China MX25V1635FZNI IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON Macronix y sus componentes

MX25V1635FZNI IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON Macronix y sus componentes

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Winbond Electrónica

W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Winbond Electrónica

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALÉL 256FBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALÉL 256FBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, sincrónico
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