MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Tecnología de micrófono Inc.

Nombre de la marca Micron Technology Inc.
Número de modelo MT2M2M2M2M2M2M2
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM Tamaño de la memoria 64Mbit
Organización de la memoria 2M x 32 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 167 megaciclos Escriba la duración de ciclo - palabra, página 12ns
Tiempo de acceso 5,5 ns Voltagem - Suministro 3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 86-TFSOP (0,400", anchura de 10.16m m) Paquete de dispositivos del proveedor 86-TSOP II
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Part Number Description
MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-7 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-7:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-7 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-7:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-6:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-7 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-7 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-55:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-55:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-5:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-5:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6 IT:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-55:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-55:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-5:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-7 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-7:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-7:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-7:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2P-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2P-7 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2P-7 TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2TG-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2TG-7 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2TG-7 TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-7:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-7 IT:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-7:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A AAT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A XIT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A IT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-5:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A IT:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A AIT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-5:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A AAT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A AIT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A IT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A AIT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A IT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A AAT:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A AIT:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A XIT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción general

La SDRAM de 64 Mb es una memoria CMOS de alta velocidad de acceso aleatorio dinámico que contiene 67,108Está configurado internamente como una DRAM de cuatro bancos con una interfaz síncrona (todas las señales se registran en el borde positivo de la señal del reloj, CLK).777Los bancos de 216 bits están organizados en 2.048 filas por 256 columnas por 32 bits.
Los accesos de lectura y escritura a la SDRAM están orientados a la explosión; los accesos comienzan en un lugar seleccionado y continúan por un número programado de ubicaciones en una secuencia programada.Los accesos comienzan con el registro de un comando ACTIVELos bits de dirección registrados coincidiendo con el comando ACTIVE se utilizan para seleccionar el banco y la fila a los que se accede (BA0, BA1,A0-A10 seleccionar la fila)Los bits de dirección registrados coincidentes con el comando READ o WRITE se utilizan para seleccionar la ubicación de la columna de inicio para el acceso rápido.

Características

• Funcionalidad PC100
• Completamente sincronizado; todas las señales registradas en el borde positivo del reloj del sistema
• Función de tubería interna; la dirección de la columna se puede cambiar cada ciclo de reloj
• Bancos internos para el acceso/precarga de filas ocultas
• Longitudes programables: 1, 2, 4, 8 o página completa
• Precarga automática, incluye CONCURRENT AUTO PRECHARGE y modos de actualización automática
• Modo de actualización automática
• 64 ms, 4.096 ciclos de actualización (15,6 μs/fila)
• Entradas y salidas compatibles con LVTTL
• Fuente de alimentación única +3,3V ±0,3V
• Soporta latencia CAS de 1, 2 y 3

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje
Cuadro de paquete 86-TFSOP (0,400", ancho de 10,16 mm)
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 3 V ~ 3,6 V
Envase del producto del proveedor Las condiciones de los productos de la categoría 1
Capacidad de memoria 64M (2M x 32)
Tipo de memoria SDRAM
Velocidad 167 MHz
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

IC de memoria SDRAM de 64 Mb (2M x 32) paralelo a 167 MHz 5.5ns 86-TSOP II