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W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Electrónica de Winbond

  • W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Winbond Electronics
Nombre de la marca Winbond Electronics
Número de modelo W949D2DBJX5I
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM - LPDDR móvil Tamaño de la memoria 512Mbit
Organización de la memoria el 16M x 32 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 200 MHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página 15ns
Tiempo de acceso 5 ns Voltagem - Suministro 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 90-TFBGA Paquete de dispositivos del proveedor 90-VFBGA (8x13)
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Part Number Description
W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX5E TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX5E IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W947D2HBJX6E TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W987D2HBJX7E TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W949D2DBJX5I TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W949D2DBJX5E TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W949D2DBJX5E IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W947D2HBJX6E IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W987D2HBJX7E IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W989D2DBJX6I TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W989D2DBJX6I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W9864G2JB-6 TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
W9864G2JB-6I TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
W94AD2KBJX5E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
W94AD2KBJX5I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
W9812G2KB-6 TR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
W9812G2KB-6I TR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
W94AD2KBJX5E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
W94AD2KBJX5I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
W9864G2JB-6 IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
W9864G2JB-6I IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
W9812G2KB-6 IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
W9812G2KB-6I IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
W947D2HBJX5E IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W947D2HBJX5I IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX5I IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX6E IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W987D2HBJX6E IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W987D2HBJX6I IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX6E IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX6I IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX7E IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W9825G2JB-6 IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W9825G2JB-6I IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W9825G2JB-75 IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W947D2HBJX5E TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W947D2HBJX5I TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W9825G2JB-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W9825G2JB-6I TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W9825G2JB-75 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W987D2HBJX6E TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W987D2HBJX6I TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX6I TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX7E TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción general

W9425G6DH es una memoria de acceso aleatorio dinámico sincronizado de doble velocidad de datos CMOS (DDR SDRAM), organizada como 4,194Utilizando una arquitectura de tuberías y tecnología de proceso de 0,11 μm, W9425G6DH ofrece un ancho de banda de datos de hasta 500M palabras por segundo (-4).Para cumplir plenamente con el estándar industrial de computadoras personales, W9425G6DH se clasifica en cuatro grados de velocidad: -4, -5, -6 y -75. El -4 es compatible con la especificación DDR500/CL3. El -5 es compatible con la especificación DDR400/CL3.El -6 es compatible con el DDR333/CL2.5 (el grado -6I que se garantiza que soporta -40 °C ~ 85 °C). El -75 cumple con la especificación DDR266/CL2 (el grado 75I que se garantiza que soporta -40 °C ~ 85 °C).

Características

• Fuente de alimentación de 2,5 V ± 0,2 V para DDR266/DDR333
• Alimentación de 2,6 V ± 0,1 V para DDR400/DDR500
• Frecuencia de reloj de hasta 250 MHz
• Arquitectura de doble velocidad de datos; dos transferencias de datos por ciclo de reloj
• Entradas de reloj diferencial (CLK y CLK)
• DQS está alineado en el borde con los datos para leer; alineado en el centro con los datos para escribir
• Tardancia de CAS: 2, 2,5 y 3
• Duración del estallido: 2, 4 y 8
• Refrescarse automáticamente y refrescarse a sí mismo
• Desactivación de la carga y desactivación activa
• Escribir máscara de datos
• Escriba latencia = 1
• Intervalo de actualización de 7,8 μS (8K / 64 mS de actualización)
• Ciclo máximo de actualización: 8
• Interfaz: SSTL_2
• Envasado en TSOP II 66 pines, 400 mil, 0,65 mm de ancho de pines, sin Pb y conforme a RoHS

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Productos electrónicos Winbond
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete Las demás:
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 1.7 V ~ 1.95 V
Envase del producto del proveedor Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.
Capacidad de memoria 512M (16M x 32)
Tipo de memoria Dispositivos de almacenamiento de datos
Velocidad 200 MHz
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

SDRAM - Memoria LPDDR móvil IC 512Mb (16M x 32) paralela a 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
Chip móvil de DRAM LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90 pin VFBGA
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI