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La tecnología de microchip de SST25VF020B-80-4I-SAE-T IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC

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xDatos del producto
Tipo de la memoria | Permanente | Formato de la memoria | FLASH |
---|---|---|---|
Tecnología | FLASH | Tamaño de la memoria | 2Mbit |
Organización de la memoria | 256K x 8 | Interfaz de la memoria | El SPI |
Frecuencia de reloj | 80 MHz | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 10µs |
Tiempo de acceso | - | Voltagem - Suministro | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Envase / estuche | 8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho) | Paquete de dispositivos del proveedor | 8-SOIC |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number | Description | |
---|---|---|
SST25VF020B-80-4I-SAE-T | IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25VF040B-50-4C-SAF-T | IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
SST25VF040B-50-4I-SAF-T | IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
SST25VF040B-50-4I-SAE | IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
SST25VF512A-33-4C-SAE | IC FLASH 512KBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25VF010A-33-4I-SAE | IC FLASH 1MBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25VF010A-33-4C-SAE | IC FLASH 1MBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25LF020A-33-4I-SAE | IC FLASH 2MBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25VF040B-50-4I-SAF | IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
SST25VF512A-33-4C-SAE-T | IC FLASH 512KBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25VF512A-33-4I-SAE | IC FLASH 512KBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25VF512-20-4C-SAE | IC FLASH 512KBIT SPI 20MHZ 8SOIC | |
SST25LF020A-33-4C-SAE | IC FLASH 2MBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25VF020-20-4C-SAE-T | IC FLASH 2MBIT SPI 20MHZ 8SOIC | |
SST25VF512-20-4C-SAE-T | IC FLASH 512KBIT SPI 20MHZ 8SOIC | |
SST25VF512A-33-4I-SAE-T | IC FLASH 512KBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25VF020B-80-4C-SAE-T | IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25PF020B-80-4C-SAE-T | IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25VF020-20-4C-SAE | IC FLASH 2MBIT SPI 20MHZ 8SOIC | |
SST25VF020B-80-4I-SAE | IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25VF020-20-4I-SAE-T | IC FLASH 2MBIT SPI 20MHZ 8SOIC | |
SST25VF040B-50-4C-SAF | IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
SST25VF040B-50-4I-SAE-T | IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
SST25VF020-20-4I-SAE | IC FLASH 2MBIT SPI 20MHZ 8SOIC | |
SST25VF020B-80-4C-SAE | IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25PF020B-80-4C-SAE | IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25LF020A-33-4C-SAE-T | IC FLASH 2MBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25LF020A-33-4I-SAE-T | IC FLASH 2MBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25WF040-40-5I-SAF | IC FLASH 4MBIT SPI 40MHZ 8SOIC | |
SST25WF080-75-4I-SAF | IC FLASH 8MBIT SPI 75MHZ 8SOIC | |
SST25WF020-40-5I-SAF | IC FLASH 2MBIT SPI 40MHZ 8SOIC | |
SST25WF010-40-5I-SAF | IC FLASH 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC | |
SST25WF512-40-5I-SAF | IC FLASH 512KBIT SPI 40MHZ 8SOIC | |
SST25VF040B-80-4I-SAE | IC FLASH 4MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25WF010-40-5I-SAF-T | IC FLASH 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC | |
SST25VF040B-80-4I-SAE-T | IC FLASH 4MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25WF080-75-4I-SAF-T | IC FLASH 8MBIT SPI 75MHZ 8SOIC | |
SST25WF020-40-5I-SAF-T | IC FLASH 2MBIT SPI 40MHZ 8SOIC | |
SST25WF040-40-5I-SAF-T | IC FLASH 4MBIT SPI 40MHZ 8SOIC | |
SST25PF040B-80-4C-SAE | IC FLASH 4MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25PF040B-80-4C-SAE-T | IC FLASH 4MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25PF080B-80-4C-SAE | IC FLASH 8MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25PF080B-80-4C-SAE-T | IC FLASH 8MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
24LC00/S | IC EEPROM 128B I2C 400KHZ DIE | |
24LC01B/S | IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ DIE | |
25AA640/S | IC EEPROM 64KBIT SPI 1MHZ DIE | |
25LC320/S | IC EEPROM 32KBIT SPI 2MHZ DIE |
Descripción de producto
Detalles del producto
Descripción del producto
La serie 25 de la familia Serial Flash cuenta con una interfaz compatible con SPI de cuatro cables que permite una baja edad de paquete de número de pines que ocupa menos espacio en la placa y, en última instancia, reduce los costos totales del sistema.Los dispositivos SST25VF020B están mejorados con una frecuencia de funcionamiento mejorada y un consumo de energía aún menorLas memorias flash serie SST25VF020B SPI se fabrican con la tecnología CMOS SuperFlash de alto rendimiento patentada por SST.El diseño de la célula de puerta dividida y el inyector de túnel de óxido grueso alcanzan una mayor fiabilidad y fabricabilidad en comparación con los enfoques alternativos.
Las características:
• Operaciones de lectura y escritura de un solo voltaje¥ 2,7-3,6 V
• Arquitectura de interfaz en serie
¢ Compatible con SPI: modo 0 y modo 3
• Frecuencia del reloj de alta velocidad
Hasta 80 MHz
• Confiabilidad superior
Resistencia: 100.000 ciclos (típico)
¢ Retención de datos durante más de 100 años
• Bajo consumo energético:
¢ Corriente de lectura activa: 10 mA (típica)
️ Corriente de espera: 5 μA (típica)
• Capacidad de borrado flexible
Sectores uniformes de 4 KByte
Bloques de superposición uniformes de 32 KByte
Bloques de superposición uniformes de 64 KByte
• Programa de borrado rápido y byte:
Tiempo de borrado del chip: 35 ms (típico)
Tiempo de borrado del sector/bloqueo: 18 ms (típico)
Tiempo de byte-programa: 7 μs (típico)
• Programación de incremento automático de direcciones (AAI)
¢ Reducir el tiempo total de programación del chip sobre las operaciones de Byte-Program
• Detección del final del texto
El software de encuesta del bit BUSY en el Registro de estado
Lectura del estado ocupado en el pin SO en modo AAI
• Mantenga el pin (HOLD#)
Suspende una secuencia en serie en la memoria
sin deseleccionar el dispositivo
• Protección de escritura (WP#)
Activar/desactivar la función de bloqueo del registro de estado
• Protección de escritura de software
Escribir protección a través de bits de protección de bloque en el registro de estado
• Rango de temperatura
️ Comercial: de 0°C a +70°C
-40°C a +85°C en el sector industrial
• Los paquetes disponibles
- SOIC de 8 plomo (150 ml)
WSON de 8 contactos (6 mm x 5 mm)
• Todos los dispositivos no Pb (libres de plomo) cumplen con la normativa RoHS
Especificaciones
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Tecnología de microchips |
Categoría de productos | Chips de circuito integrado |
Fabricante | El microchip |
Categoría de productos | Memoria flash |
RoHS | Detalles |
Estilo de montaje | DSM/SMT |
Cuadro de paquete | Las condiciones de los productos |
Tamaño de la memoria | 2 Mbit |
Tipo de interfaz | El SPI |
Tipo de memoria | No |
Velocidad | 80 MHz |
Válvula de alimentación | 3.6 V |
Válvula de alimentación | 2.7 V |
Alimentación de corriente máxima | 10 mA |
Rango de temperatura de funcionamiento | - 40 ° C a + 85 ° C |
Serie | Se aplican las siguientes medidas: |
Embalaje | El rollo |
Arquitectura | Sector |
Marca del producto | Tecnología de microchips |
Ancho del bus de datos | 8 bits |
Frecuencia máxima del reloj | 80 MHz |
Organizaciones | 256 k x 8 |
Tipo de tiempo | Sincronizado |
Unidad de peso | 0.019048 onzas |
Componente compatible funcional
Formulario, paquete, componente funcional compatible
Parte del fabricante | Descripción | Fabricante | Comparar |
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad. Memoria |
2M X 1 FLASH 3V PROM, PDSO8, 0,150 INCH, 4,90 X 6 MM, conforme con la normativa ROHS, MS-012AA, SOIC-8 | Tecnología de microchips Inc. | El objetivo de la evaluación es evaluar la compatibilidad de las medidas de seguridad con los objetivos de seguridad establecidos en el anexo I. |
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web del organismo notificado. Memoria |
Flash, 2MX1, PDSO8, SOIC-8 y otras sustancias químicas | Corporación Adesto Technologies | El número de unidades de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control. |
Se aplicarán las siguientes medidas: Memoria |
2M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8, 0,150 INCH, 4,90 X 6 MM, conforme con la normativa ROHS, MS-012AA, SOIC-8 | Tecnología de microchips Inc. | El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de ensayo se calculará en función de las emisiones de CO2 de las instalaciones de ensayo. |
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. Memoria |
Flash, 2MX1, PDSO8, SOIC-8 y otras sustancias químicas | Corporación Adesto Technologies | El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos y la seguridad de los vehículos. |
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud. Memoria |
Flash, 2MX1, PDSO8, SOIC-8 y otras sustancias químicas | Corporación Adesto Technologies | El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar que las personas que se encuentran en una situación de riesgo no se vean afectadas por el riesgo de incumplimiento. |
MX25L2006EM1I-12G Memoria |
Flash, 1MX2, PDSO8, 0,150 pulgadas, libre de halógenos y conforme con la normativa ROHS, MS-012, SOP-8 | Macronix International Co. Ltd. y sus subsidiarias | El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar que las personas que se encuentran en situación de riesgo no se vean afectadas por los efectos de la medida. |
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud. Memoria |
Flash, 2MX1, PDSO8, SOIC-8 y otras sustancias químicas | Corporación Adesto Technologies | El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar que las personas que se encuentran en situaciones de riesgo no se vean afectadas por la contaminación causada por la contaminación. |
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud. Memoria |
Las pruebas de detección se realizarán en el laboratorio de la empresa. | Corporación Adesto Technologies | El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos y la seguridad de las personas que se encuentran en el lugar de trabajo. |
M25P20-VMN6TPB: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción. Memoria |
Flash, 256KX8, PDSO8, 0,150 pulgadas, de acuerdo con ROHS, plástico, SOP-8 | Tecnología de Micron Inc | El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar que las personas que se encuentran en el lugar de trabajo estén en condiciones de trabajar en el lugar de trabajo. |
Descripciones
Memoria flash IC 2 Mb (256K x 8) SPI 80MHz 8-SOIC
NOR Flash Serial-SPI 3.3V 2M-bit 256K x 8 6ns 8-pin SOIC T/R
Memoria flash de 2.7V a 3.6V 2Mbit SPI Flash en serie
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