Todos los productos
Persona de Contactar Ahora : Zhao
Número de teléfono : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

  • IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Nombre de la marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Número de modelo Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

Éntreme en contacto con gratis las muestras y los vales.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

skype: sales10@aixton.com

Si usted tiene alguna preocupación, proporcionamos ayuda en línea de 24 horas.

x
Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM-DDR Tamaño de la memoria 256Mbit
Organización de la memoria el 16M x 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 166 MHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página 15ns
Tiempo de acceso 700 picosegundos Voltagem - Suministro 2.3V ~ 2.7V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 60-TFBGA Paquete de dispositivos del proveedor 60-TFBGA (8x13)
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-5BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-5BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R86400D-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-5BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R86400D-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-5BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
Deja un mensaje
Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Características

• Tensión estándar: VDD y VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Baja tensión (L): VDD y VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Compatible con el pasado con 1.5V
• Las velocidades de transferencia de datos de alta velocidad con una frecuencia del sistema de hasta 933 MHz
• 8 bancos internos para operaciones simultáneas
• Arquitectura de pre-recuperación de 8n-bit
• latencia de CAS programable
• Latencia aditiva programable: 0, CL-1, CL-2
• Latencia de escritura de CAS programable (CWL) basada en tCK
• Largura de ráfaga programable: 4 y 8
• Secuencia de explosión programable: secuencial o interleave
• Interruptor de luz en el aire
• Auto Actualización (ASR)
• Temperatura de auto-refresco (SRT)
• Intervalo de actualización:
7.8 nosotros (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 nosotros (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
• Auto-refrescamiento de la matriz parcial
• Pin de restablecimiento asíncrono
• TDQS (Termination Data Strobe) soportado (sólo x8)
• OCD (ajuste de la impedancia del controlador fuera del chip)
• ODT dinámico (terminación en el momento de morir)
• Fuerza del conductor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Escribir nivelación
• Hasta 200 MHz en el modo DLL apagado
• Temperatura de funcionamiento:
Para uso comercial (TC = 0°C a +95°C)
Industriales (TC = -40°C a +95°C)
Para el automóvil, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Para el sector del automóvil, A2 (TC = -40°C a +105°C)

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante El ISSI
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete 60 - TFBGA
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 2.3 V ~ 2.7 V
Envase del producto del proveedor Se trata de un sistema de control de velocidad.
Capacidad de memoria 256M (16M x 16)
Tipo de memoria DDR SDRAM
Velocidad 166MHz
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

SDRAM - Memoria DDR IC de 256 Mb (16M x 16) paralelo a 166MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
Chip DRAM DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60 pin TFBGA
DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI