China R1LP0408DSP-7SI#S0 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

R1LP0408DSP-7SI#S0 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM
China AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Alianza de la Memoria, Inc.

AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Alianza de la Memoria, Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM
China IS25LP064A-JLLE IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS25LP064A-JLLE IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China MT29F512G08CKCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de tecnología basada en la tecnología de la tecnología de la información.

MT29F512G08CKCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de tecnología basada en la tecnología de la tecnología de la información.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND (MLC)
China IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: PSRAM
Tecnología: PSRAM (pseudo SRAM)
China CY7C0853AV-100BBC IC SRAM 9MBIT PAR 172FBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

CY7C0853AV-100BBC IC SRAM 9MBIT PAR 172FBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, sincrónico
China CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC Tecnologías Infineon

CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: NVSRAM
Tecnología: NVSRAM (SRAM permanente)
China IS61NLP25618A-200B3LI-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS61NLP25618A-200B3LI-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Síncrono, SDR
China CY7C138-25JXI IC SRAM 32KBIT PARALÉL 68PLCC Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

CY7C138-25JXI IC SRAM 32KBIT PARALÉL 68PLCC Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, asíncrono
China CY7C128A-45PC IC SRAM 16KBIT PARALÉL 24DIP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

CY7C128A-45PC IC SRAM 16KBIT PARALÉL 24DIP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
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