China El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para determinar el nivel de emisiones de gases de efecto invernadero.

El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para determinar el nivel de emisiones de gases de efecto invernadero.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc. Se trata de una tecnología que se utiliza para la obtención de datos y para la obtención de datos.

MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc. Se trata de una tecnología que se utiliza para la obtención de datos y para la obtención de datos.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - LPDDR móvil
China MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I Tecnología de Micron Inc.

MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I Tecnología de Micron Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China AT27C1024-70PU IC EPROM 1MBIT PARALLEL 40DIP Tecnología de microchip

AT27C1024-70PU IC EPROM 1MBIT PARALLEL 40DIP Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EPROM
Tecnología: EPROM - OTP (cuadro de datos)
China AS7C1024B-12JCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión.

AS7C1024B-12JCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China AS7C1024B-12TJCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión.

AS7C1024B-12TJCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA Tecnologías Infineon

CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, MoBL
China S29CD016J0MQFM030 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP Tecnologías Infineon

S29CD016J0MQFM030 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China CY7C131-25NC IC SRAM 8KBIT PARALÉL 52PQFP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

CY7C131-25NC IC SRAM 8KBIT PARALÉL 52PQFP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, asíncrono
China MTFC8GAMALBH-AAT IC FLASH 64GBIT MMC 153TFBGA Micron Technology Inc. y sus subsidiarios

MTFC8GAMALBH-AAT IC FLASH 64GBIT MMC 153TFBGA Micron Technology Inc. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
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