IS61NLP25618A-200B3LI-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Nombre de la marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Número de modelo Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria SRAM
Tecnología SRAM - Síncrono, SDR Tamaño de la memoria 4.5Mbit
Organización de la memoria 256K x 18 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 200 MHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso 3.1 ns Voltagem - Suministro 3.135V ~ 3.465V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 165-TBGA Paquete de dispositivos del proveedor Se trata de un sistema de control de velocidad de alta velocidad.
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Part Number Description
IS61NLP25618A-200B3LI-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61NLP25618A-200B3LI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3LI-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-200B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-200B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPS51236A-250B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPS51236A-250B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61NLP25618A-200B3I IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61NLP25618A-200B3I-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-200B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-250B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-250B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-200B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-200B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-200B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-250B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-250B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-200B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-200B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-250B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-250B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-200B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-250B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-250B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-200B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-200B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-200B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-250B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-250B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-200B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-200B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-250B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-250B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPS12836A-200B3I IC SRAM 4MBIT PARALLEL 165PBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción

La familia de productos NLP/NVP de 4 Meg cuenta con RAM estática síncrona de alta velocidad y baja potencia diseñada para proporcionar un estado de espera explosivo, de alto rendimiento y sin espera,Dispositivo para aplicaciones de redes y comunicacionesSe organizan como 128K palabras por 32 bits, 128K palabras por 36 bits, y 256K palabras por 18 bits, fabricados con la avanzada tecnología CMOS de ISSI.

Características

• Utilización del 100% de los autobuses
• No hay ciclos de espera entre leer y escribir
• Ciclo de escritura automático interno
• Control de escritura de bytes individuales
• Pín de control R/W (lectura/escritura) único
• Control de reloj, dirección registrada, datos y control
• Control de secuencia de explosión intercalado o lineal mediante entrada MODE
• Tres chips permiten una simple expansión de profundidad y dirección de tuberías
• Modo apagado
• Entradas y salidas comunes de datos
• Pin CKE para activar el reloj y suspender el funcionamiento
• JEDEC TQFP de 100 pines, paquetes PBGA de 165 y 119 bolas
• Fuente de alimentación:
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable de los motores de combustión renovables.
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calculará en función de la temperatura de los motores de combustión renovables.
• Temperatura industrial disponible
• Disponible sin plomo

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante El ISSI
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos.
El tipo Sincronizado
Embalaje Embalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Estilo de montaje DSM/SMT
Cuadro de paquete 165-TFBGA
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 3.135 V ~ 3.465 V
Envase del producto del proveedor La cantidad de agua que se puede extraer de las instalaciones de los equipos de ensamblaje es de:
Capacidad de memoria 4.5M (256K x 18)
Tipo de memoria El valor de la carga de la unidad de recolección será el valor de la carga de la unidad de recolección.
Velocidad 200 MHz
Tasa de datos DEG
Tiempo de acceso 3.1 ns
Formatos de memoria Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento + 85 C
Rango de temperatura de funcionamiento - 40 ° C.
Tipo de interfaz En paralelo
Organizaciones 256 k x 18
Alimentación de corriente máxima Las demás:
Válvula de alimentación 3.465 V
Válvula de alimentación 3.135 V
Cuadro de paquete BGA-165
Frecuencia máxima del reloj 200 MHz

Descripciones

SRAM - IC de memoria síncrona de 4,5 Mb (256 K x 18) paralelo a 200 MHz 3,1 ns 165-BGA (13 x 15)
Sincronización de chip SRAM doble 3.3V 4M-Bit 256K x 18 3.1ns 165-pin BGA T/R
La RAM 4M (256Kx18) 200MHz sincronizada con SRAM 3.3v