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AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Alianza de la Memoria, Inc.
| Nombre de la marca | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|
| Número de modelo | AS4C2M32SA-6TCN |
| Cantidad de orden mínima | 1 |
| Precio | Based on current price |
| Detalles de empaquetado | Bolsa antistática y caja de cartón |
| Tiempo de entrega | 3 a 5 días hábiles |
| Condiciones de pago | T/T |
| Capacidad de la fuente | En stock |
Éntreme en contacto con gratis las muestras y los vales.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
skype: sales10@aixton.com
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xDatos del producto
| Tipo de la memoria | Volátil | Formato de la memoria | COPITA |
|---|---|---|---|
| Tecnología | SDRAM | Tamaño de la memoria | 64Mbit |
| Organización de la memoria | 2M x 32 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
| Frecuencia de reloj | 166 MHz | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 2ns |
| Tiempo de acceso | 5,5 ns | Voltagem - Suministro | 3 V ~ 3,6 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Envase / estuche | 86-TFSOP (0,400", anchura de 10.16m m) | Paquete de dispositivos del proveedor | 86-TSOP II |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| AS4C2M32SA-6TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-7TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TIN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C16M32SC-7TIN | IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-6TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-7TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-7TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-7TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-6TINTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-6TIN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-7TCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-6TINTR | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-7TCN | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-6TIN | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C16M32SC-7TINTR | IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-7TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-7TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-7TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-7TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TIN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TIN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-5TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TINTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-5TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC2M32B2TG-6A IT:J | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC2M32B2TG-6A:J | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC4M32B2TG-6A IT:L | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC4M32B2TG-6A:L | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II |
Descripción de producto
Detalles del producto
Descripción funcional
La AS4C256K16E0 es una memoria CMOS de acceso aleatorio dinámico (DRAM) de 4 megabits de alto rendimiento organizada en 262.144 palabras por 16 bits.El AS4C256K16E0 está fabricado con tecnología CMOS avanzada y diseñado con técnicas de diseño innovadoras que resultan en alta velocidad, muy baja potencia y amplios márgenes de funcionamiento a nivel de componentes y sistemas.
Características
• Organización: 262.144 palabras × 16 bits• Alta velocidad
- tiempo de acceso al RAS de 30/35/50 ns
- 16/18/25 ns tiempo de acceso a la dirección de la columna
- 7/10/10/10 ns Tiempo de acceso al CAS
• Bajo consumo energético
- Activo: 500 mW máximo (AS4C256K16E0-25)
- En espera: 3,6 mW máximo, CMOS I/O (AS4C256K16E0-25)
• Modo de página EDO
• Refrescarse
- 512 ciclos de actualización, intervalo de actualización de 8 ms
- Actualización o autoactualización de RAS únicamente o de CAS antes de RAS
- La opción de actualización automática está disponible sólo para dispositivos de nueva generación.
• Leer, modificar y escribir
• Compatible con TTL, E/S de tres estados
• Los paquetes estándar de JEDEC
- 400 mil, 40 pines de SOJ
- 400 mil, 40/44-pin TSOP II
• Fuente de alimentación de 5 V
• Corriente de cierre > 200 mA
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Alianza Memoria, Inc. |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | - |
| Embalaje | Envases |
| Cuadro de paquete | 86-TFSOP (0,400", ancho de 10,16 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 3 V ~ 3,6 V |
| Envase del producto del proveedor | Las condiciones de los productos de la categoría 1 |
| Capacidad de memoria | 64M (2M x 32) |
| Tipo de memoria | SDRAM |
| Velocidad | 166MHz |
| Formatos de memoria | Memoria RAM |
Descripciones
IC de memoria SDRAM de 64 Mb (2M x 32) paralelo a 166 MHz 5.5ns 86-TSOP II
La memoria DRAM es una memoria SDRAM de 64M.3.3V 166MHz, 2M x 32
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