MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO Tecnología de Micron Inc.

Descripción general

Las MT28F004B3 (x8) y MT28F400B3 (x16/x8) son dispositivos de memoria programable no volátiles, borrables por bloqueo eléctrico (flash), que contienen 4,194La escritura o eliminación del dispositivo se realiza con un voltaje VPP de 3.3V o 5V, mientras que todas las operaciones se realizan con un 3.3V VCCDebido a los avances de la tecnología de proceso, 5V VPP es óptimo para la aplicación y la programación de producción.
El MT28F004B3 y el MT28F400B3 están organizados en siete bloques borrables por separado.los dispositivos cuentan con un bloque de arranque protegido por hardware. Escribir o borrar el bloque de arranque requiere aplicar un súper voltaje al pin RP# o conducir WP# HIGH además de ejecutar las secuencias normales de escritura o borrado.Este bloque puede utilizarse para almacenar el código implementado en la recuperación del sistema de bajo nivelLos bloques restantes varían en densidad y se escriben y borran sin medidas de seguridad adicionales.

Características

• Siete bloques de borrado:
Bloque de arranque de palabras de 16KB/8K (protegido)
Dos bloques de parámetros de palabras de 8KB/4K
Cuatro bloques de memoria principales
• tecnología inteligente 3 (B3):
3.3V ±0.3V CCV
3.3V ±0.3V Programación de aplicaciones VPP
5V ± 10% de programación de aplicación/producción de VPP1
• Compatible con el dispositivo Smart 3 de 0,3 μm
• Proceso avanzado de puertas flotantes CMOS de 0,18 μm
• Tiempo de acceso a las direcciones: 80 ns
• 100.000 ciclos de borrado
• Indicadores de las normas de la industria
• Las entradas y salidas son totalmente compatibles con TTL
• Algoritmo automatizado de escritura y borrado
• Secuencia WRITE/ERASE de dos ciclos
• LEER y ESCRIBIR de un byte o de una palabra
(MT28F400B3, 256K x 16/512K x 8)
• Solo lectura y escritura en todo el byte
(MT28F004B3, 512K x 8)
• Opciones de embalaje de las TSOP y SOP