IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Características

● Tensión estándar: VDD y VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
● Baja tensión (L): VDD y VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compatible con el pasado con 1.5V
● Alta velocidad de transferencia de datos con frecuencia de sistema de hasta 1066 MHz
● 8 bancos internos para el funcionamiento simultáneo
● Arquitectura de pre-recuperación de 8n-bit
● La latencia del CAS programable
● La latencia aditiva programable: 0, CL-1, CL-2
● La latencia de escritura de CAS programable (CWL) basada en tCK
● Largura de ráfaga programable: 4 y 8
● Secuencia de ráfagas programable: secuencial o intercalada
● Interrupción de BL en el vuelo
● Auto actualización (ASR)
● Temperatura de autorefrescamiento (SRT)
● Intervalo de actualización:
7.8 nosotros (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 nosotros (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
● Auto-refrescamiento de una matriz parcial
● Pin de restablecimiento asíncrono
● TDQS (Termination Data Strobe) soportado (sólo x8)
● OCD (ajuste de la impedancia del controlador fuera del chip)
● ODT dinámico (terminado en el momento de la matriz)
● Fuerza del conductor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
● Escribir nivelación
● Hasta 200 MHz en el modo DLL apagado
● Temperatura de funcionamiento:
Para uso comercial (TC = 0°C a +95°C)
Industriales (TC = -40°C a +95°C)
Para el automóvil, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Para el sector del automóvil, A2 (TC = -40°C a +105°C)