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IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

  • IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Nombre de la marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Número de modelo Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología COPITA Tamaño de la memoria 576Mbit
Organización de la memoria 32M x 18 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 1.066 GHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso 10 ns Voltagem - Suministro 1.28V ~ 1.42V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 168-LBGA Paquete de dispositivos del proveedor Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo y de las máquinas de ensayo de los equipos
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
IS49RL36160A-107EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160A-093EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160A-093FBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160A-093EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160A-093FBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160A-107EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320A-107EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA
IS49RL18320A-093EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA
IS49RL18320A-107EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA
IS49RL18320A-093EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA
IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-093BLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-093EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-093EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-107BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-107BLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-107EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-107EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-125BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-125BLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-125EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-125EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-093BLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-093EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-093EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-107BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-107BLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-107EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-107EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-125BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-125BLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-125EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-125EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

■ Características

1Circuito de disparador de Schmidt incorporado.
2. Alta sensibilidad ((E V: MAX. 35rx a Ta= 25 ̊C)
3. Un amplio rango de tensión de alimentación de funcionamiento
(VCC: de 4,5 a 17 V)
4. Salida compatible con LSTTL y TTL
5. Bajo nivel de salida bajo luz incidente (IS485)
Producción de alto nivel bajo luz incidente (IS486)
6Envase compacto

■ Aplicaciones

1. Unidades de disquete
2Máquinas de copiar, imprimir y fax
3. videocasetes y cintas
4Máquinas expendedoras

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante El ISSI
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Envases
Cuadro de paquete 168-LBGA
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz Asignación de los datos
Fuente de suministro de tensión 1.28 V ~ 1.42 V
Envase del producto del proveedor Las medidas de seguridad se aplicarán a las instalaciones de los Estados miembros.
Capacidad de memoria 576M (32M x 18)
Tipo de memoria RLDRAM 3
Velocidad 0.93ns
Formatos de memoria Memoria RAM
Componente compatible funcionalFormulario, paquete, componente funcional compatible
Parte del fabricante Descripción Fabricante Comparar
Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos.
Memoria		 DDR DRAM, 32MX18, 10ns, CMOS, PBGA168, libre de plomo, FBGA-168 Solución Integrada de Silicio Inc. Los resultados de la evaluación de la calidad de los productos se basan en los datos de los Estados miembros.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Memoria		 DDR DRAM, 32MX18, 8ns, CMOS, PBGA168, libre de plomo, FBGA-168 Solución Integrada de Silicio Inc. Los resultados de la evaluación de la calidad de los productos se basan en los datos de los Estados miembros.
Se aplicará el método siguiente:
Memoria		 DDR DRAM, 32MX18, 12ns, CMOS, PBGA168, libre de plomo, FBGA-168 Solución Integrada de Silicio Inc. Las pruebas de los resultados de la evaluación de la calidad de los productos se basan en los resultados de los ensayos realizados en los Estados miembros.
Se aplicará el método siguiente:
Memoria		 DDR DRAM, 32MX18, 8ns, CMOS, PBGA168, libre de plomo, FBGA-168 Solución Integrada de Silicio Inc. Las medidas de control se aplicarán en el caso de los vehículos de motor de motor de serie.
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.
Memoria		 DDR DRAM, 32MX18, 10ns, CMOS, PBGA168, libre de plomo, FBGA-168 Solución Integrada de Silicio Inc. Los resultados de la evaluación de la calidad de los productos se basarán en los resultados de la evaluación de la calidad de los productos.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria		 DDR DRAM, 32MX18, 8ns, CMOS, PBGA168, libre de plomo, FBGA-168 Solución Integrada de Silicio Inc. Los resultados de la evaluación de la calidad de los productos se basarán en los resultados de la evaluación de la calidad de los productos.
Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos.
Memoria		 DDR DRAM, 32MX18, 10ns, CMOS, PBGA168, libre de plomo, FBGA-168 Solución Integrada de Silicio Inc. El número de unidades de producción es el número de unidades de producción.
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.
Memoria		 DDR DRAM, 32MX18, 10ns, CMOS, PBGA168, libre de plomo, FBGA-168 Solución Integrada de Silicio Inc. Los resultados de la evaluación de la calidad de los productos se basarán en los resultados de los ensayos realizados en los Estados miembros.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria		 DDR DRAM, 32MX18, 8ns, CMOS, PBGA168, libre de plomo, FBGA-168 Solución Integrada de Silicio Inc. Los resultados de la evaluación de la calidad de los productos se basarán en los resultados de la evaluación de la calidad de los productos.
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.
Memoria		 DDR DRAM, 32MX18, 10ns, CMOS, PBGA168, libre de plomo, FBGA-168 Solución Integrada de Silicio Inc. Los resultados de la evaluación de la calidad de los productos se basarán en los resultados de la evaluación de la calidad de los productos.

Descripciones

Memoria DRAM IC 576Mb (32M x 18) paralelo 1.066GHz 10ns 168-FC ((LF) BGA (13.5x13.5)
Chip DRAM RLDRAM3 576Mbit 32Mx18 1.35V 168-pin FBGA
Memoria DRAM RLDRAM3, 576M de entrada y salida común, 1066 MHz
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI