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71V124SA10PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALÉL 32TSOP II Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

  • 71V124SA10PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II Renesas Electronics America Inc
Nombre de la marca Renesas Electronics America Inc
Número de modelo Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria SRAM
Tecnología SRAM - Asincrónico Tamaño de la memoria 1 Mbit
Organización de la memoria 128K x 8 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj - Escriba la duración de ciclo - palabra, página 10ns
Tiempo de acceso 10 ns Voltagem - Suministro 3,15 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 32 SOIC (0,400", 10,16 mm de ancho) Paquete de dispositivos del proveedor 32-TSOP II
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
71V124SA10PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
71V124SA12PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124HSA10PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124HSA10PH8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124HSA12PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124HSA12PH8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA10PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA10PH8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
71V124SA10PHG IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
71V124SA10PHGI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
71V124SA10PHGI8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA12PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA12PH8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
71V124SA12PHG IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
71V124SA12PHGI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
71V124SA12PHGI8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA12PHI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA12PHI8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA15PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA15PH8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
71V124SA15PHG IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
71V124SA15PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
71V124SA15PHGI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
71V124SA15PHGI8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA15PHI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA15PHI8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA20PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA20PH8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA20PHG IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA20PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA20PHGI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA20PHGI8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA20PHI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IDT71V124SA20PHI8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción

El IDT71V124 es un 1,048RAM estática de alta velocidad de 576 bits organizada como 128K x 8. Está fabricada utilizando la tecnología CMOS de alto rendimiento y alta confiabilidad de IDT.combinado con técnicas innovadoras de diseño de circuitos, ofrece una solución rentable para
La potencia central de JEDEC/GND reduce la generación de ruido y mejora el rendimiento del sistema.
El IDT71V124 tiene un pin de salida que funciona tan rápido como 5ns, con tiempos de acceso a direcciones tan rápidos como 9ns disponibles.Todas las entradas y salidas bidireccionales del IDT71V124 son compatibles con LVTTL y el funcionamiento es de un solo 3Se utiliza un circuito completamente estático asíncrono; no se requieren relojes ni actualizaciones para el funcionamiento.

Características

◆ RAM estática CMOS avanzada de alta velocidad de 128K x 8
◆JEDEC, un sistema revolucionario para reducir el ruido
◆Integración de las redes de transporte
Commercial: 10/12/15/20ns
¢ Industriales: 10/12/15/20 días
◆Un chip Select más un pin de salida Activar
◆Las entradas y salidas son compatibles con LVTTL
◆Alimentación única de 3,3 V
◆Bajo consumo de energía mediante deselección del chip
◆Disponible en un paquete de 32 pines de 300 y 400 milímetros de SOJ de plástico y en paquetes de 32 pines de TSOP tipo II.

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Sistemas de circuitos integrados
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie Las demás:
El tipo Asíncrono
Embalaje Embalaje alternativo
Unidad de peso 0.027023 onzas
Estilo de montaje DSM/SMT
Cuadro de paquete 32 SOIC (0,400", 10,16 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 3.15 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedor 32-TSOP II
Capacidad de memoria 1M (128K x 8)
Tipo de memoria La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento
Velocidad 10 días
Tiempo de acceso 10 ns
Formatos de memoria Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento + 70 C
Rango de temperatura de funcionamiento 0 C
Tipo de interfaz En paralelo
Organizaciones 128 k x 8
Alimentación de corriente máxima 145 mA
Parte-#-Alias Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Válvula de alimentación 3.6 V
Válvula de alimentación 3.15 V
Cuadro de paquete El número de unidades de producción
Componente compatible funcionalFormulario, paquete, componente funcional compatible
Parte del fabricante Descripción Fabricante Comparar
Se aplicará el procedimiento de selección de los productos.
Memoria		 Se utilizará el sistema de almacenamiento de datos de las unidades de almacenamiento de datos. ABLIC Inc. El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
Memoria		 La RAM estándar, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, cumple con las normas ROHS, TSOP2-32 Tecnología de dispositivos integrados Inc. El objetivo de la evaluación es evaluar los resultados obtenidos en el marco de la evaluación.
IDT71V124SA10PHI
Memoria		 La memoria RAM estándar, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32 se utilizará en el caso de las memorias de memoria de tipo de ordenador. Tecnología de dispositivos integrados Inc. Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria		 TPOP-32, tubo Tecnología de dispositivos integrados Inc. El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Memoria		 TPOP-32, tubo Tecnología de dispositivos integrados Inc. Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Los datos de las pruebas de detección se deben incluir en el documento de identificación.
Memoria		 La memoria RAM estándar, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32 se utilizará en el caso de las memorias de memoria de tipo de ordenador. Tecnología de dispositivos integrados Inc. Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
Memoria		 La RAM estándar, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, libre de plomo, TSOP2-32 El ciprés semiconductor Se trata de una serie de medidas de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Memoria		 Se utilizará el sistema de control de velocidad de la máquina. Rochester Electronic LLC, también conocido como El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria		 La RAM estándar, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, libre de plomo, plástico, TSOP2-32 Solución Integrada de Silicio Inc. El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga.
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la calidad.
Memoria		 La RAM estándar, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, libre de plomo, plástico, TSOP2-32 Solución Integrada de Silicio Inc. El objetivo de la medida es garantizar que los productos estén protegidos contra la contaminación atmosférica.

Descripciones

SRAM - IC de memoria asíncrona de 1 Mb (128 K x 8) paralelo a 10 ns 32-TSOP II
La memoria RAM estática de 3,3 V sincronizada 128Kx8
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

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Memoria Flash IC de SPI