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MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA Tecnología de micrófonos Inc.

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xDatos del producto
Tipo de la memoria | Permanente | Formato de la memoria | FLASH |
---|---|---|---|
Tecnología | FLASH - NAND (MLC) | Tamaño de la memoria | 256Gbit |
Organización de la memoria | 32G x 8 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
Frecuencia de reloj | 167 megaciclos | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | - |
Tiempo de acceso | - | Voltagem - Suministro | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Envase / estuche | - | Paquete de dispositivos del proveedor | 132-TBGA (12 x 18) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A | IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A TR | IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AKCDBJ5-6:D TR | IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132TBGA | |
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D TR | IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AMCDBJ5-6:D TR | IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AMCDBJ5-6IT:D TR | IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F256G08CKEDBJ5-12IT:D TR | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F256G08CMEDBJ5-12:D TR | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F256G08CMEDBJ5-12IT:D TR | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR | IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR | IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F256G08CMCDBJ5-6ITR:D | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AKEDBJ5-12:D | IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132TBGA | |
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B | IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F512G08EKCBBJ5-6:B | IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B | IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 | IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D | IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D | IC FLASH 128GBIT PARALLEL 83MHZ | |
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR | IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D TR | IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AMCDBJ5-6IT:D | IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D | IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132TBGA | |
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA |
Descripción de producto
Detalles del producto
Descripción general
Los dispositivos flash Micron NAND incluyen una interfaz de datos asincrónica para operaciones de E/S de alto rendimiento.Hay cinco señales de control utilizadas para implementar la interfaz de datos asyn chronous: CE#, CLE, ALE, WE# y RE#. Las señales adicionales controlan la protección de escritura del hardware (WP#) y monitorean el estado del dispositivo (R/B#).
Características
• Interfaz NAND Flash abierta (ONFI) compatible con el punto 2.2• Tecnología de células de múltiples niveles (MLC)
• Organizaciones
️ Tamaño de página x8: 8640 bytes (8192 + 448 bytes)
️ Tamaño del bloque: 256 páginas (2048K + 112K bytes)
Tamaño del avión: 2 aviones x 2048 bloques por avión
¢ Tamaño del dispositivo: 64 GB: 4096 bloques;
128 GB: 8192 bloques;
256 GB: 16 384 bloques;
512Gb: 32 786 bloques
• Rendimiento de E/S sincrónico
¢ Hasta el modo de sincronización 5
La velocidad del reloj: 10ns (DDR)
¢ Rendimiento de lectura/escritura por pin: 200 MT/s
• Rendimiento de E/S asíncrono
¢ Hasta el modo de sincronización asíncrona 5
¿Qué quieres decir?
TRC/tWC: 20ns (MIN)
• Rendimiento de la matriz
¢ Lectura de la página: 50 μs (MAX)
Página del programa: 1300 μs (TYP)
Bloqueo de borrado: 3 ms (TYP)
• Rango de tensión de funcionamiento
VCC: 2.7V 3.6V
VCCQ: 1,7 V1,95 V, 2,7 V3,6 V
• Conjunto de comandos: Protocolo ONFI NAND Flash
• Conjunto de comandos avanzados
El caché del programa
Leer secuencialmente la caché
Leer la caché al azar
¢ Modo programable de una sola vez (OTP)
Comando de varios planos
Las operaciones con múltiples LUN
Leer el identificador único
– Copyback
• El primer bloque (dirección del bloque 00h) es válido cuando se envía
Para el ECC mínimo requerido, véase
Gestión de errores (página 109).
• Se requiere RESET (FFh) como primer comando después del encendido
En el
• El byte de estado de operación proporciona un método de software para
Detección
¢ Finalización de la operación
Condición de aprobación o de rechazo
El estado de protección de escritura
• Las señales de estroboscopo de datos (DQS) proporcionan un método de hardware
para la sincronización de datos DQ en el sistema sincrónico
Interfaz
• Operaciones de copia de seguridad soportadas dentro del avión
de la que se leen los datos
• Calidad y fiabilidad
¢ Conservación de los datos: 10 años
¢ Durabilidad: 5000 ciclos de programación/borrado
• Temperatura de funcionamiento:
️ Comercial: de 0°C a +70°C
Industriales (IT): de 40 oC a + 85 oC
• Paquete
¢ LGA de 52 almohadillas
¢ TEP de 48 pines
– 100-ball BGA
Especificaciones
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Tecnología Micron Inc. |
Categoría de productos | Interfaces de memoria |
Serie | - |
Embalaje | * Embalaje alternativo |
Cuadro de paquete | * |
Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
Interfaz | En paralelo |
Fuente de suministro de tensión | 2.7 V ~ 3.6 V |
Envase del producto del proveedor | * |
Capacidad de memoria | 256G (32G x 8) |
Tipo de memoria | Las condiciones de los datos de las unidades de control |
Velocidad | - |
Formatos de memoria | El flash. |
Descripciones
FLASH - IC de memoria NAND 256Gb (32G x 8) paralelo a 167MHz
NAND FLASH, MLC NAND y otros
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