W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II Winbond Electrónica

Nombre de la marca Winbond Electronics
Número de modelo W9812G6KH-6
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM Tamaño de la memoria 128Mbit
Organización de la memoria 8M x 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 166 MHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso 5 ns Voltagem - Suministro 3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 54-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m) Paquete de dispositivos del proveedor 54-TSOP II
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Part Number Description
W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-6 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-6 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-5 TR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-6 TR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-5 TR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-6 TR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-6I TR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-5 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-6I TR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-6I IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-5 TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-6I IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-5 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-6I TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-6I IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6IH-6 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6IH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6EH-6 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6JH-6I IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6JH-6I IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6JH-6I IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MD56V62160M-7TAZ0AX IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6JH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6JH-5 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6JH-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6JH-6I TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción

W9812G6KH es una memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono de alta velocidad (SDRAM), organizada como 2M palabras x 4 bancos x 16 bits.Para cumplir plenamente con el estándar industrial de computadoras personales, W9812G6KH se clasifica en los siguientes grados de velocidad: -5, -5I, -5J, -6, -6I, -6J y -75.


Características

3.3V ± 0,3V Fuente de alimentación
Frecuencia de reloj de hasta 200 MHz
2,097, 152 Palabras 4 bancos 16 bits de organización
Modo de actualización automática
La latencia del CAS: 2 y 3
Duración de la ráfaga: 1, 2, 4, 8 y página completa
Lectura rápida, modo de escritura única
Datos de byte controlados por LDQM, UDQM
Modo apagado
Precarga automática y precarga controlada
Ciclos de actualización de 4K/64 mS, @ -40°C ≤ TA ≤ 85°C
Ciclos de actualización 4K/16 mS, @ -40°C ≤ TA ≤ 105°C
Interfaz: LVTTL
Embalado en TSOP II 54 pines, 400 mil utilizando materiales libres de plomo y compatibles con RoHS

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteProductos electrónicos Winbond
Categoría de productosInterfaces de memoria
Serie-
EmbalajeEmbalaje alternativo de los tubos
Cuadro de paquete54-TSOP (0,400", ancho de 10,16 mm)
Temperatura de funcionamiento0 °C ~ 70 °C (TA)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión3 V ~ 3,6 V
Envase del producto del proveedorSe aplicará el procedimiento siguiente:
Capacidad de memoriaEl valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el siguiente:
Tipo de memoriaSDRAM
Velocidad166MHz
Formatos de memoriaMemoria RAM

Descripciones

Memoria SDRAM IC de 128 Mb (8M x 16) paralela a 166 MHz 5ns 54-TSOP II
Chip de DRAM SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54 pin TSOP-II