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AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de memoria de circuito integrado basado en la tecnología de la tecnología de la información.

  • AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA Alliance Memory, Inc.
Nombre de la marca Alliance Memory, Inc.
Número de modelo Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser realizadas en el lugar de ensayo.
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM - LPDDR2 móvil Tamaño de la memoria 4Gbit
Organización de la memoria el 128M x 32 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 533 megaciclos Escriba la duración de ciclo - palabra, página 15ns
Tiempo de acceso - Voltagem - Suministro 1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TC) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche Se aplicará el procedimiento siguiente: Paquete de dispositivos del proveedor Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta velocidad no deben tener una super
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Part Number Description
AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-25BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C8M32MD2A-25BCN IC DRAM 256MBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-25BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-18BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BCN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BCNTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Características

• Organizaciones: 1,048,576 palabras × 4 bits
• Alta velocidad
- tiempo de acceso al RAS de 40/50/60/70 ns
- 20/25/30/35 ns tiempo de acceso a la dirección de la columna
- 10/13/15/18 ns Tiempo de acceso al CAS
• Bajo consumo energético
- Activo: 385 mW máximo (-60)
- En espera: 5,5 mW máximo, CMOS I/O
• Modo de página rápida (AS4C14400) o EDO (AS4C14405)
• 1024 ciclos de actualización, intervalo de actualización de 16 ms
- Actualización solo de RAS o de CAS antes de RAS
• Leer, modificar y escribir
• Compatible con TTL, E/S de tres estados
• Los paquetes estándar de JEDEC
- 300 mil, 20/26 pines de SOJ
- 300 millas, 20/26 pines de TSOP
• Fuente de alimentación única de 5 V
• Protección ESD ≥ 2001V
• Corriente de cierre ≥ 200 mA

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteAlianza Memoria, Inc.
Categoría de productosChips de circuito integrado
El Sr.Alliance Memory Inc. (Aliancia de la Memoria Inc.)
Serie-
PaqueteEnvases
Estado del productoActividad
Tipo de memoriaLas sustancias
Formato de memoriaDispositivos de almacenamiento
TecnologíaSDRAM - LPDDR2 móvil
Tamaño de la memoria4Gb (128M x 32)
Interfaz de memoriaEn paralelo
Frecuencia del reloj533 MHz
Escribe-Ciclo-Tiempo-Word-Página15 días
Fuente de suministro de tensiónLos componentes de las máquinas de ensayo se utilizarán en el ensayo de la máquina.
Temperatura de funcionamiento-40 °C ~ 85 °C (TC)
Tipo de montajeMontura de la superficie
Cuadro de paqueteSe aplicará el procedimiento siguiente:
Envase del producto del proveedorLas partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta velocidad no deben tener una superficie superior a 300 mm.
Número del producto de baseSe aplicará el método siguiente:
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI