China 70V657S10BFG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA Renesas Electronic America Inc. y sus subsidiarias

70V657S10BFG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA Renesas Electronic America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, asíncrono
China FM25L16B-GTR IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC Tecnologías Infineon

FM25L16B-GTR IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FRAM
Tecnología: FRAM (RAM ferroeléctrico)
China CY7C1414BV18-200BZC IC SRAM 36MBIT PARALÉL 165FBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

CY7C1414BV18-200BZC IC SRAM 36MBIT PARALÉL 165FBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los dispositivos de seguridad de seguridad.
China MT25QL128ABA8E12-0SIT IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA Tecnología de micrófonos Inc.

MT25QL128ABA8E12-0SIT IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA Tecnología de micrófonos Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China AT27C020-55PU IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32DIP Tecnología de microchip

AT27C020-55PU IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32DIP Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EPROM
Tecnología: EPROM - OTP (cuadro de datos)
China 24LC64T-E/MNY IC EEPROM 64KBIT I2C 8TDFN Tecnología de microchip

24LC64T-E/MNY IC EEPROM 64KBIT I2C 8TDFN Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China S29AL008J70BFI023 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA Tecnologías Infineon

S29AL008J70BFI023 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China IS61WV25616BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS61WV25616BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China RC28F320C3TA110 IC FLASH 32MBIT PAR 64EASYBGA Intel

RC28F320C3TA110 IC FLASH 32MBIT PAR 64EASYBGA Intel

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - Bloque de arranque
China S26KL128SDABHI020 IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA Tecnologías Infineon

S26KL128SDABHI020 IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
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