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China CY7C199D-10VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Tecnologías Infineon

CY7C199D-10VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: RLDRAM 2
China S25FS512SAGNFI011 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON Tecnologías Infineon

S25FS512SAGNFI011 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM-DDR
China AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN Renesas Design Alemania GmbH

AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN Renesas Design Alemania GmbH

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH
China PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA Tecnología de micrónicos Inc.

PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA Tecnología de micrónicos Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los dispositivos de seguridad de los Estados mie
China S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Tecnologías Infineon

S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP Tecnologías Infineon

CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: NVSRAM
Tecnología: NVSRAM (SRAM permanente)
China AT27C256R-70PU IC EPROM 256KBIT PARALÉL 28DIP Tecnología de microchip

AT27C256R-70PU IC EPROM 256KBIT PARALÉL 28DIP Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EPROM
Tecnología: EPROM - OTP (cuadro de datos)
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