China CY7C145-15AXC IC SRAM 72KBIT PARALÉL 80TQFP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

CY7C145-15AXC IC SRAM 72KBIT PARALÉL 80TQFP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, asíncrono
China CY7C1355C-133AXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP Tecnologías Infineon

CY7C1355C-133AXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Síncrono, SDR
China IDT71016S12PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

IDT71016S12PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China CY7C1351S-133AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALELO 100TQFP Cypress Semiconductor Corp

CY7C1351S-133AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALELO 100TQFP Cypress Semiconductor Corp

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Síncrono, SDR
China MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de tecnología de la mano de la mano de la empresa.

MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de tecnología de la mano de la mano de la empresa.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - LPDDR móvil
China AS6C4016-55ZIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Alliance Memory, Inc. Se trata de una memoria de circuito integrado con una capacidad de almacenamiento de 4 MBIT.

AS6C4016-55ZIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Alliance Memory, Inc. Se trata de una memoria de circuito integrado con una capacidad de almacenamiento de 4 MBIT.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China S25FL064LABMFI013 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC Tecnologías Infineon

S25FL064LABMFI013 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China MT25QL256ABA8ESF-0SIT IC FLASH 256MBIT SPI 133MHZ 16SO Tecnología de Micron Inc.

MT25QL256ABA8ESF-0SIT IC FLASH 256MBIT SPI 133MHZ 16SO Tecnología de Micron Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Tecnología de microchip

SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH
China La tecnología de los microchips de las máquinas de la Unión Europea (UE) para la fabricación de los microchips de las máquinas de la Unión Europea

La tecnología de los microchips de las máquinas de la Unión Europea (UE) para la fabricación de los microchips de las máquinas de la Unión Europea

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
25 26 27 28 29 30 31 32