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China BR24S64FJ-WE2 IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ Semiconductor de Rohm

BR24S64FJ-WE2 IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ Semiconductor de Rohm

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China 71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China MT41K512M16HA-125:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA Alliance Memory, Inc. Se trata de una memoria de circuito integrado con una capacidad de almacenamiento de 8 GBIT.

MT41K512M16HA-125:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA Alliance Memory, Inc. Se trata de una memoria de circuito integrado con una capacidad de almacenamiento de 8 GBIT.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - DDR3L
China S25FL256SAGBHVB00 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA Tecnologías Infineon

S25FL256SAGBHVB00 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China BR24T256F-WE2 IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP Semiconductor de Rohm

BR24T256F-WE2 IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP Semiconductor de Rohm

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China 71256SA25YG IC SRAM 256KBIT PARALÉL 28SOJ Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

71256SA25YG IC SRAM 256KBIT PARALÉL 28SOJ Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China CY7C1399B-15ZXI IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

CY7C1399B-15ZXI IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China 71024S15TYG IC SRAM 1MBIT PARALÉL 32SOJ Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

71024S15TYG IC SRAM 1MBIT PARALÉL 32SOJ Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM-DDR2
China W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 8WSON Winbond Electrónica

W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 8WSON Winbond Electrónica

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
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