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China IS61NLP25636A-200TQLI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS61NLP25636A-200TQLI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Síncrono, SDR
China CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA Tecnologías Infineon

CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Síncrono, QDR II+
China IS42S16400J-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS42S16400J-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM
China FM18W08-SGTR IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Tecnologías Infineon

FM18W08-SGTR IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FRAM
Tecnología: FRAM (RAM ferroeléctrico)
China S29GL064S70TFI030 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Tecnologías Infineon

S29GL064S70TFI030 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China S29GL128P90TFIR10 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP Tecnologías Infineon

S29GL128P90TFIR10 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China IS43TR16128DL-107MBLI IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS43TR16128DL-107MBLI IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - DDR3L
China 7132LA20JG IC SRAM 16KBIT PARALÉL 52PLCC Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

7132LA20JG IC SRAM 16KBIT PARALÉL 52PLCC Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, asíncrono
China 71321LA20PFG IC SRAM 16KBIT PARALÉL 64TQFP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

71321LA20PFG IC SRAM 16KBIT PARALÉL 64TQFP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, asíncrono
China IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM
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