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China 70V9269L12PRFGI IC SRAM 256KBIT PARALÉL 128TQFP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

70V9269L12PRFGI IC SRAM 256KBIT PARALÉL 128TQFP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, sincrónico
China IS42S32200L-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS42S32200L-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM
China S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALELO 63BGA Cypress Semiconductor Corp

S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALELO 63BGA Cypress Semiconductor Corp

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
China MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA Microtecnología Inc.

MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA Microtecnología Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM-DDR2
China W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Winbond Electrónica

W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Winbond Electrónica

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - DDR3
China W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Electrónica de Winbond

W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Electrónica de Winbond

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China CY62128ELL-45SXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC Tecnologías Infineon

CY62128ELL-45SXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China Los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos.

Los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China 7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALÉL 84PLCC Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALÉL 84PLCC Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, asíncrono
China AT27LV040A-12VI IC EPROM 4MBIT PARALÉL 32VSOP Tecnología de microchip

AT27LV040A-12VI IC EPROM 4MBIT PARALÉL 32VSOP Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EPROM
Tecnología: EPROM - OTP (cuadro de datos)
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