China 70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA Renesas Electronic America Inc. y sus subsidiarias

70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA Renesas Electronic America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, sincrónico
China SST39VF1601C-70-4I-EKE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP Tecnología de microchip

SST39VF1601C-70-4I-EKE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH
China W25Q80DVZPIG IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8WSON Electrónica de Winbond

W25Q80DVZPIG IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8WSON Electrónica de Winbond

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China CY7C1353S-100AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

CY7C1353S-100AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Síncrono, SDR
China MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I Tecnología de Micrón Inc.

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I Tecnología de Micrón Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
China CY62147EV18LL-55BVXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA Tecnologías Infineon

CY62147EV18LL-55BVXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China W25N01GVZEIG IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON Electrónica de Winbond

W25N01GVZEIG IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON Electrónica de Winbond

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND (SLC)
China MT53E256M16D1DS-046 AAT:B IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGA Micron Technology Inc. El contenido de la memoria es el mismo que el contenido de la memoria.

MT53E256M16D1DS-046 AAT:B IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGA Micron Technology Inc. El contenido de la memoria es el mismo que el contenido de la memoria.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - LPDDR4 móvil
China MT29F2G08ABAEAWP:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I Tecnología de Micron Inc.

MT29F2G08ABAEAWP:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I Tecnología de Micron Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
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