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70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA Renesas Electronic America Inc. y sus subsidiarias
Tipo de la memoria: | Volátil |
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Formato de la memoria: | SRAM |
Tecnología: | SRAM - Puerto doble, sincrónico |
SST39VF1601C-70-4I-EKE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP Tecnología de microchip
Tipo de la memoria: | Permanente |
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Formato de la memoria: | FLASH |
Tecnología: | FLASH |
W25Q80DVZPIG IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8WSON Electrónica de Winbond
Tipo de la memoria: | Permanente |
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Formato de la memoria: | FLASH |
Tecnología: | FLASH - NI |
CY7C1353S-100AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios
Tipo de la memoria: | Volátil |
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Formato de la memoria: | SRAM |
Tecnología: | SRAM - Síncrono, SDR |
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I Tecnología de Micrón Inc.
Tipo de la memoria: | Permanente |
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Formato de la memoria: | FLASH |
Tecnología: | FLASH - NAND |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA Micron Technology Inc. El objetivo de este proyecto es el desarrollo de una tecnología para el procesamiento de datos y de datos.
Tipo de la memoria: | Permanente |
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Formato de la memoria: | FLASH |
Tecnología: | FLASH - NAND |
CY62147EV18LL-55BVXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA Tecnologías Infineon
Tipo de la memoria: | Volátil |
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Formato de la memoria: | SRAM |
Tecnología: | SRAM - Asincrónico |
W25N01GVZEIG IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON Electrónica de Winbond
Tipo de la memoria: | Permanente |
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Formato de la memoria: | FLASH |
Tecnología: | FLASH - NAND (SLC) |
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGA Micron Technology Inc. El contenido de la memoria es el mismo que el contenido de la memoria.
Tipo de la memoria: | Volátil |
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Formato de la memoria: | COPITA |
Tecnología: | SDRAM - LPDDR4 móvil |
MT29F2G08ABAEAWP:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I Tecnología de Micron Inc.
Tipo de la memoria: | Permanente |
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Formato de la memoria: | FLASH |
Tecnología: | FLASH - NAND |