S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Tecnologías Infineon

Nombre de la marca Infineon Technologies
Número de modelo S29GL512S10FHI010
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
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Datos del producto
Tipo de la memoria Permanente Formato de la memoria FLASH
Tecnología FLASH - NI Tamaño de la memoria 512Mbit
Organización de la memoria los 32M x 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj - Escriba la duración de ciclo - palabra, página 60ns
Tiempo de acceso 100 ns Voltagem - Suministro 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 64-LBGA Paquete de dispositivos del proveedor 64-FBGA (11x13)
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
S70GL02GT12FHIV10 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT11FHI010 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FAIR12 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FAIR12 FLASH, 512MX1, 100NS, PBGA64
S29GL512P11FFI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P11FFI012 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FFIR10 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FFIR20 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL01GP11FFIR20 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL01GP11FFIR10 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL01GP11FFSS80 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP11FAIR10 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL01GP11FAIR20 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL01GP11FAIR10 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P11FAI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP11FAIR20 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT11FHA010 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHIV23 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FAI020 FLASH - NOR MEMORY IC 512MB (32M
S29GL512P10FFIR12 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P11FAI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FFCR20 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHIV20 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS50 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS53 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FAI013 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FAI023 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHI013 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHI023 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS13 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS23 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS33 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS43 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS63 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FAIV13 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FAIV23 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHIV13 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHIV23 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FAI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS10 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS20 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS30 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS40 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS60 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FAIV10 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FAIV20 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHIV10 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S12FHIV20 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHB023 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHB020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT12FHIV13 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT12FHIV20 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT12FHIV23 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT11FHV010 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT11FHV013 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT12FHAV10 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT12FHAV13 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT11FHB010 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT11FHB013 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FFCR10 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FAIR20 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P12FFIV12 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHI013 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT11FHV010 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL01GP11FFCR10 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FFCR20 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P11FFI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P11FAI020 IC FLASH 512MBIT 110NS 64BGA
S70GL02GP11FFIR20 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
QMP29GL01GP11FAIR10 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
QMP29GL01GP11FAIR12 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
QMP29GL01GP11FFSS80 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
QMP29GL512P10FFCR10 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
QMP29GL512P10FFI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
QMP29GL512P10FFI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
QMP29GL512P11FFI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
QMP29GL512P11FFI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL01GP11FAIR12 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL01GP11FFIR23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FAIR10 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FAIR22 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FFIR10W IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P11FAI012 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP11FAIR12 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP11FAIR13 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP11FAIR23 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP11FFIR22 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP12FAIR20 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP12FFI010 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP12FFI012 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP12FFI013 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP12FFI020 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP12FFI022 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP12FFI023 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP13FFIV20 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

GL-S MirrorBit® EclipseTM Flash Familia de memoria no volátil

S29GL01GS 1 Gbit (128 Mbyte)
S29GL512S 512 Mbit (64 Mbyte)
S29GL256S 256 Mbit (32 Mbyte)
S29GL128S 128 Mbit (16 Mbyte)
CMOS 3.0 Volt Core con entradas y salidas versátiles

Descripción general

El Spansion® S29GL01G/512/256/128S son productos flash MirrorBit Eclipse fabricados con tecnología de proceso de 65 nm.Estos dispositivos ofrecen un tiempo de acceso rápido a la página de hasta 15 ns con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente de hasta 90 nsCuentan con un Buffer de escritura que permite programar un máximo de 256 palabras/512 bytes en una sola operación, lo que resulta en un infateficiente más eficaz.
El tiempo de programación de estos dispositivos es mayor que el de los algoritmos de programación estándar, lo que los hace ideales para las aplicaciones integradas actuales que requieren una mayor densidad, un mejor rendimiento y un menor consumo de energía.

Características distintivas

Tecnología de eclipse MirrorBit de 65 nm
- Fuente única de alimentación (VCC) para lectura / programación / borrado (2,7V a 3,6V)
¢File de E/S versátil
¢ Amplio rango de tensión de entrada/salida (VIO): 1,65V a VCC
Bus de datos x16
¢ Lectura asíncrona de página de 32 bytes
Buffer de programación de 512 bytes
Programación en múltiples de página, hasta un máximo de 512 bytes
¢Un programa de una sola palabra y varios programas con la misma palabra
Sector borrado
Sectores uniformes de 128 kbyte
Suspender y reanudar los comandos para las operaciones de programación y borrado
¢Registro de estado, encuesta de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
¢Protección sectorial avanzada (PSA)
¢ Métodos de protección volátiles y no volátiles para cada sector
Separación de 1024 bytes de un programa de tiempo (OTP) con dos regiones bloqueables
¢Tabla de parámetros de la interfaz flash común (CFI)
“Rango de temperatura
️ Industriales (de -40°C a +85°C)
En el interior de la cabina (de -40°C a +105°C)
¥100.000 ciclos de borrado para cualquier sector típico
¢ 20 años de conservación de datos
Opciones de embalaje
– 56-pin TSOP
¢ 64 bolas LAA BGA reforzado, 13 mm x 11 mm
️ 64 bolas LAE BGA reforzado, 9 mm x 9 mm
VBU de 56 bolas BGA reforzado, 9 mm x 7 mm

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante El ciprés semiconductor
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie Se trata de una
Embalaje Envases
Estilo de montaje DSM/SMT
Rango de temperatura de funcionamiento - 40 ° C a + 85 ° C
Cuadro de paquete 64 LBGA
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 2.7 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedor El número de unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga.
Capacidad de memoria 512M (32M x 16)
Tipo de memoria FLASH - Ni siquiera
Velocidad 100 ns
Arquitectura Sector
Formatos de memoria El flash.
Tipo de interfaz En paralelo
Organizaciones 32 M x 16
Alimentación de corriente máxima 25 mA
Ancho del bus de datos 16 bits
Válvula de alimentación 3.6 V
Válvula de alimentación 2.7 V
Cuadro de paquete Las demás:
Tipo de tiempo Asíncrono

Componente compatible funcional

Formulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricante Descripción Fabricante Comparar
S29GL512S11DHIV20
Memoria
Las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad. El ciprés semiconductor El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el método de ensayo de los datos de la base de datos.
Memoria
Flash, 64MX8, 100ns, PBGA64, el paquete El ciprés semiconductor El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión renovable se calculará en función de las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión renovable.
S29GL512S11DHIV23
Memoria
Las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad. El ciprés semiconductor Los datos de las pruebas de detección de VIH deben estar disponibles en el sitio web de la Oficina de Investigación de las Naciones Unidas.
Se aplicará el método de ensayo de los datos.
Memoria
Flash, 64MX8, 100ns, PBGA64, el paquete El ciprés semiconductor El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
Se aplicará el método de ensayo.
Memoria
Las medidas de seguridad se aplican a las instalaciones de la categoría "A" y "B" de la categoría "A" de la categoría "A" de la categoría "B" de la categoría "B" de la categoría "B". El ciprés semiconductor El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el método de ensayo de la norma de calidad de los productos.
Memoria
Las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad. El ciprés semiconductor El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
S29GL512S11DHIV10
Memoria
Las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad. El ciprés semiconductor Los datos de las pruebas de detección de VIH deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
S29GL512S11FHI020: las condiciones de los productos de la categoría S2
Memoria
Las tarjetas EEPROM, 32MX16, 110ns, paralelas, CMOS, PBGA64, FBGA-64 El ciprés semiconductor El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calcula de acuerdo con el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el método de ensayo de los datos.
Memoria
Las tarjetas EEPROM, 32MX16, 100ns, paralelas, CMOS, PBGA64, FBGA-64 El ciprés semiconductor El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el método de clasificación de los productos de los Estados miembros.
Memoria
Las tarjetas EEPROM, 32MX16, 110ns, paralelas, CMOS, PBGA64, FBGA-64 El ciprés semiconductor El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calcula de acuerdo con el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Descripciones

NOR Flash paralelo 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns bandeja BGA reforzada de 64 pines
Memoria flash de 512 Mb 3V 100ns paralela o no flash