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China CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ Tecnologías Infineon

CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP Renesas Design Alemania GmbH

AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP Renesas Design Alemania GmbH

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH
China 93LC56BT-I/MC IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DFN Tecnología de microchip

93LC56BT-I/MC IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DFN Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China IS43TR81280B-107MBL-TR IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS43TR81280B-107MBL-TR IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - DDR3
China MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de telecomunicaciones con sede en el Reino Unido.

MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de telecomunicaciones con sede en el Reino Unido.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM
China 7130SA100C IC SRAM 8KBIT PARALÉL SB48 Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

7130SA100C IC SRAM 8KBIT PARALÉL SB48 Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, asíncrono
China AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Alianza de la Memoria, Inc.

AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Alianza de la Memoria, Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM
China 71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT PARALÉL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT PARALÉL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China 24CW1280T-I/OT IC EEPROM 128KBIT I2C SOT23-5 Tecnología de microchip

24CW1280T-I/OT IC EEPROM 128KBIT I2C SOT23-5 Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China BR24G32FVT-3AGE2 IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOPB Semiconductor de Rohm

BR24G32FVT-3AGE2 IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOPB Semiconductor de Rohm

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
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