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China AS4C128M8D3-12BAN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión.

AS4C128M8D3-12BAN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - DDR3
China CY14V256LA-BA35XI IC NVSRAM 256KBIT PAR 48FBGA Tecnologías Infineon

CY14V256LA-BA35XI IC NVSRAM 256KBIT PAR 48FBGA Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: NVSRAM
Tecnología: NVSRAM (SRAM permanente)
China IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM-DDR2
China DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Dispositivos analógicos Inc./Maxim Integrado

DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Dispositivos analógicos Inc./Maxim Integrado

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: NVSRAM
Tecnología: NVSRAM (SRAM permanente)
China CY7C10612G30-10ZSXI IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II Tecnologías Infineon

CY7C10612G30-10ZSXI IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China IS25LP128-JBLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS25LP128-JBLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China IS25LP128-JMLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS25LP128-JMLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Tecnologías Infineon

CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China MX29F200CBTI-70G IC FLASH 2MBIT PARALÉL 48TSOP Macronix

MX29F200CBTI-70G IC FLASH 2MBIT PARALÉL 48TSOP Macronix

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China S25FL128LAGNFI010 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON Tecnologías Infineon

S25FL128LAGNFI010 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
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