Todos los productos
Persona de Contactar Ahora : Zhao
Número de teléfono : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

CY7C199D-10VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Tecnologías Infineon

  • CY7C199D-10VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Infineon Technologies
Nombre de la marca Infineon Technologies
Número de modelo CY7C199D-10VXI
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

Éntreme en contacto con gratis las muestras y los vales.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

skype: sales10@aixton.com

Si usted tiene alguna preocupación, proporcionamos ayuda en línea de 24 horas.

x
Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria SRAM
Tecnología SRAM - Asincrónico Tamaño de la memoria 256Kbit
Organización de la memoria 32K x 8 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj - Escriba la duración de ciclo - palabra, página 10ns
Tiempo de acceso 10 ns Voltagem - Suministro 4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 28-BSOJ (0,300", 7,62 mm de ancho) Paquete de dispositivos del proveedor 28-SOJ
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
CY7C199D-10VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BN-12VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399B-12VXCT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BNL-15VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BN-12VXIT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199D-10VXIT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BN-15VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BN-15VXA IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BNL-15VXCT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BN-15VXAT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BN-12VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C107D-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CN-12VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199-35VC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C185-20VC IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199C-15VI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CN-12VXAT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CN-15VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CNL-15VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CL-15VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CNL-15VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199-15VC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199-12VC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399B-15VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CN-15VXCT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1006D-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1007BN-15VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1007D-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CN-12VXA IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C107D-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399B-12VC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399B-15VC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C185-15VC IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C185-20VC IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C185-25VC IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C185-35VC IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199-12VC IC SRAM 256KBIT 12NS 28SOJ
CY7C199-15VC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199-25VC IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ
CY7C199-35VC IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ
CY7C199C-12VC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199C-12VI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199C-15VC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199C-15VI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199C-20VC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399B-12VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399B-15VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199C-12VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199C-12VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199C-15VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199C-15VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199C-20VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1006B-15VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1007B-15VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1007B-15VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1007BN-15VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1007BN-15VXCT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399B-12VXCT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399B-15VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399B-15VXIT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BN-12VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BN-12VXCT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BN-15VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BN-15VXCT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BN-15VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BN-15VXIT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BNL-15VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BNL-15VXCT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199C-12VXCT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199C-15VXCT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CL-15VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CL-15VXCT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CN-12VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CN-12VXIT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CN-15VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CN-15VXCT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CNL-15VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CNL-15VXCT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CNL-15VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CNL-15VXIT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1006D-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1007D-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C106D-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BN-15VXA IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1006D-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1007D-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C106D-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C1399BN-15VXAT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C192-15VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C192-15VXCT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199CN-12VXAT IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C185-15VI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C185-35SC IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C185-15VIT IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
Deja un mensaje
Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción funcional [1]

El CY7C199D es una memoria RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 32.768 palabras por 8 bits.

Características

• Compatible con el pin y la función CY7C199C
• Alta velocidad
¢ tAA = 10 ns
• Baja potencia activa
¢ CCI = 80 mA @ 10 ns
• Baja potencia de espera CMOS
¢ ISB2 = 3 mA
• Retención de datos de 2,0 V
• Apagado automático si se desactiva la opción
• CMOS para una velocidad/potencia óptima
• Entradas y salidas compatibles con TTL
• Fácil expansión de la memoria con características CE y OE
• Disponible en SOJ moldeado de 28 pines de 300 millas de ancho y
Paquetes TSOP I de 28 pines

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante El ciprés semiconductor
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie CY7C199D
El tipo Asíncrono
Embalaje Embalaje alternativo de los tubos
Estilo de montaje DSM/SMT
Cuadro de paquete 28-BSOJ (.300", 7,62 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 4.5 V ~ 5.5 V
Envase del producto del proveedor 28 SOJ
Capacidad de memoria 256K (32K x 8)
Tipo de memoria La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento
Velocidad 10 días
Tasa de datos DEG
Tiempo de acceso 10 ns
Formatos de memoria Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento + 85 C
Rango de temperatura de funcionamiento - 40 ° C.
Tipo de interfaz En paralelo
Organizaciones 32 k x 8
Alimentación de corriente máxima 80 mA
Válvula de alimentación 5.5 V
Válvula de alimentación 4.5 V
Cuadro de paquete Soj-28
El Sr. Cypress Semiconductor Corp.
Serie -
Paquete El tubo
Estado del producto Actividad
Tipo de memoria Las sustancias
Formato de memoria La SRAM
Tecnología La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento
Tamaño de la memoria 256Kb (32K x 8)
Interfaz de memoria En paralelo
Escribe-Ciclo-Tiempo-Word-Página 10 días
Fuente de suministro de tensión Los componentes de las válvulas de carga
Tipo de montaje Montura de la superficie
Cuadro de paquete 28-BSOJ (0,300" 7,62 mm de ancho)
Número del producto de base CY7C199

Componente compatible funcional

Formulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricante Descripción Fabricante Comparar
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Memoria		 La RAM estándar, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0,300 pulgadas, libre de plomo, de plástico, SOJ-28 Solución Integrada de Silicio Inc. CY7C199D-10VXI frente al IS61C256AL-10JL
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
Memoria		 La RAM estándar, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, libre de plomo, plástico, TSOP1-28 Solución Integrada de Silicio Inc. El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga.
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga.
Memoria		 La memoria RAM estándar, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28 también se utilizará. El ciprés semiconductor El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Memoria		 La RAM estándar, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13,40 MM, libre de plomo, TSOP1-28 Alianza de la memoria Inc. El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria		 La RAM estándar, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13,40 MM, TSOP1-28 también se utilizará. El ciprés semiconductor El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes:
Memoria		 La RAM estándar, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13,40 MM, TSOP1-28 también se utilizará. Rochester Electronic LLC, también conocido como El número de unidades de producción es el número de unidades de producción.
CY7C199-10VI: el uso de las mismas.
Memoria		 La RAM estándar es de 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, y la capacidad de almacenamiento de la memoria es superior a la capacidad de almacenamiento de la memoria. El ciprés semiconductor El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
CY7C199-10VC: el número de unidades de seguridad de las que se trate.
Memoria		 La RAM estándar es de 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, y la capacidad de almacenamiento de la memoria es superior a la capacidad de almacenamiento de la memoria. Rochester Electronic LLC, también conocido como El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable.
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Memoria		 La RAM estándar, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0,300 pulgadas, libre de plomo, de plástico, SOJ-28 El ciprés semiconductor El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
PDM41256LA10TTY, en el caso de los vehículos de las categorías A y B.
Memoria		 La RAM estándar, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP1-28 también se puede utilizar. Corporación IXYS El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para determinar el nivel de emisiones de gases de efecto invernadero.

Descripciones

Chip SRAM Asíncrono de un solo 5V 256K-bit 32K x 8 10ns Tubo SOJ de 28 pines
La capacidad de recolección de datos de los datos de los sistemas de almacenamiento de datos de los sistemas de almacenamiento de datos de los sistemas de almacenamiento
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI