China W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Electrónica de Winbond

W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Electrónica de Winbond

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - LPDDR móvil
China MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153WFBGA Micron Technology Inc. El objetivo de este proyecto es mejorar la calidad de la información y la seguridad de los usuarios.

MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153WFBGA Micron Technology Inc. El objetivo de este proyecto es mejorar la calidad de la información y la seguridad de los usuarios.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
China BR24G02FVM-3GTTR IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP Semiconductor de Rohm

BR24G02FVM-3GTTR IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP Semiconductor de Rohm

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China FM24CL16B-GTR IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC Tecnologías Infineon

FM24CL16B-GTR IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FRAM
Tecnología: FRAM (RAM ferroeléctrico)
China AT27BV1024-90JU-T IC EPROM 1MBIT PARALLEL 44PLCC Tecnología de microchip

AT27BV1024-90JU-T IC EPROM 1MBIT PARALLEL 44PLCC Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EPROM
Tecnología: EPROM - OTP (cuadro de datos)
China SST39VF800A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA Tecnología de microchip

SST39VF800A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH
China DS2431P+T&R IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TSOC Analog Devices Inc./Maxim Integrado

DS2431P+T&R IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TSOC Analog Devices Inc./Maxim Integrado

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China 6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM
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