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IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

  • IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Nombre de la marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Número de modelo Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad comp
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM-DDR Tamaño de la memoria 256Mbit
Organización de la memoria el 16M x 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 166 MHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página 15ns
Tiempo de acceso 700 picosegundos Voltagem - Suministro 2.3V ~ 2.7V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 66-TSSOP (0,400", anchura de 10.16m m) Paquete de dispositivos del proveedor Se aplicará el procedimiento siguiente:
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Part Number Description
IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-6TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-5TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TL IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TL IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TLI IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TLI IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-5TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-5TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-5TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-5TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-5TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-5TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R86400D-6TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-5TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R86400D-6TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-5TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800A-5TL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800C-5TL IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-5TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-5TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Características

● Tensión estándar: VDD y VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
● Baja tensión (L): VDD y VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compatible con el pasado con 1.5V
● Alta velocidad de transferencia de datos con sistema
con una frecuencia de hasta 933 MHz
● 8 bancos internos para el funcionamiento simultáneo
● Arquitectura de pre-recuperación de 8n bits
● La latencia del CAS programable
● La latencia aditiva programable: 0, CL-1, CL-2
● La latencia de escritura de CAS programable (CWL) basada en tCK
● Largura de ráfaga programable: 4 y 8
● Secuencia de ráfagas programable: secuencial o intercalada
● Interrupción de BL en el vuelo
● Auto actualización (ASR)
● Temperatura de autorefrescamiento (SRT)
● Intervalo de actualización:
7.8 nosotros (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 nosotros (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
● Auto-refrescamiento de una matriz parcial
● Pin de restablecimiento asíncrono
● TDQS (Termination Data Strobe) soportado (sólo x8)
● OCD (ajuste de la impedancia del controlador fuera del chip)
● ODT dinámico (terminado en el momento de la matriz)
● Fuerza del conductor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 ¢)
● Escribir nivelación
● Hasta 200 MHz en el modo DLL apagado
● Temperatura de funcionamiento:
Para uso comercial (TC = 0°C a +95°C)
Industriales (TC = -40°C a +95°C)
Para el automóvil, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Para el sector del automóvil, A2 (TC = -40°C a +105°C)

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante El ISSI
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete 66-TSSOP (0,400", ancho de 10,16 mm)
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 2.3 V ~ 2.7 V
Envase del producto del proveedor Se aplicará el procedimiento siguiente:
Capacidad de memoria 256M (16M x 16)
Tipo de memoria DDR SDRAM
Velocidad 166MHz
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR de 256 Mb (16M x 16) paralelo a 166 MHz 700ps 66-TSOP II
Chip DRAM DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66 pin TSOP-II
DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI