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MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA Tecnología de micrófono Inc.

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xDatos del producto
Tipo de la memoria | Volátil | Formato de la memoria | COPITA |
---|---|---|---|
Tecnología | SDRAM-DDR2 | Tamaño de la memoria | 2Gbit |
Organización de la memoria | el 128M x 16 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
Frecuencia de reloj | 400 MHz | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400 picosegundos | Voltagem - Suministro | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Envase / estuche | 84-TFBGA | Paquete de dispositivos del proveedor | 84-FBGA (9x12.5) |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number | Description | |
---|---|---|
MT47H128M16RT-25E:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-25E:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-25E IT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-25E IT:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
IS43DR16640B-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
MT47H128M16RT-25E AIT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3:E TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E IT:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E IT:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E L:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E L:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 IT:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 IT:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 L:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 L:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HR-25E:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HR-3:F | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-3:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HR-187E:G | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
MT47H32M16HR-25E AAT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HR-25E IT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HR-25E L:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-187E:H | IC DRAM 1GBIT PAR 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E AAT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E AIT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E L:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 AAT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 AIT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47R64M16HR-25:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47R64M16HR-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47R64M16HR-25E:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HR-25E IT:G TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E IT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 AAT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 IT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16PK-25E IT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HR-25E AIT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HW-25E IT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HW-25E:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HW-3 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HW-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-25E AAT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-25E XIT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E XIT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA |
Descripción de producto
Detalles del producto
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 bancosMT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 bancos
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 bancos
Características
• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V• E/S de 1.8V de la norma JEDEC (compatible con SSTL_18)
• Opción de estroboscopo de datos diferencial (DQS, DQS#)
• Arquitectura de preencuesta de 4n bits
• Opción de estroboscopo de salida duplicado (RDQS) para x8
• DLL para alinear las transiciones DQ y DQS con CK
• 8 bancos internos para operaciones simultáneas
• latencia de CAS programable (CL)
• La latencia del aditivo CAS publicada (AL)
• Tardor de escritura = Tardor de lectura - 1 tCK
• Longitudes de estallido seleccionables (BL): 4 u 8
• Fuerza de transmisión de datos ajustable
• 64 ms, 8192 ciclos de actualización
• Terminación en el momento de la muerte (ODT)
• Opción de temperatura industrial (TI)
• Opción de temperatura del vehículo (AT)
• Cumplimiento de la Directiva RoHS
• Soporta la especificación JEDEC de jitter de reloj
Especificaciones
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Tecnología Micron Inc. |
Categoría de productos | Interfaces de memoria |
Serie | - |
Embalaje | Embalaje alternativo de cinta y bobina (TR) |
Cuadro de paquete | Las demás: |
Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 85 °C (TC) |
Interfaz | En paralelo |
Fuente de suministro de tensión | 1.7 V ~ 1.9 V |
Envase del producto del proveedor | Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta precisión deberán tener una longitud de longitud igual o superior a 20 mm. |
Capacidad de memoria | 2G (128M x 16) |
Tipo de memoria | DDR2 SDRAM |
Velocidad | 2.5ns |
Formatos de memoria | Memoria RAM |
Descripciones
SDRAM - IC de memoria DDR2 2Gb (128M x 16) paralelo 400MHz 400ps 84-FBGA (9x12.5)
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